Kitapo fonosana IC

Vokatra: substrate fonosana IC
Fitaovana: Si10u
Layer: 2Layers
Hatevin’ny varahina: 12um
Hateviny vita: 0.2mm
Surface: volamena
Min Hole: 0.15mm
Ny hatevin’ny volamena 5U
Min Trace / Space: 40um / 45um
Fampiharana: substrate fonosana IC