site logo

မည်သည့်အလွှာ၌မဆိုအပေါက်များဖောက်ခြင်း၏နည်းပညာဆိုင်ရာဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်ဒီဇိုင်းဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများ

မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းအချို့သောအဆင့်မြင့်စားသုံးသူများ၏အီလက်ထရောနစ်ထုတ်ကုန်များ၏ miniaturization လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းနိုင်ရန် chip ပေါင်းစည်းမှုသည်ပိုမိုမြင့်မားလာသည်နှင့်အမျှ BGA pin အကွာအဝေးသည်ပိုမိုနီးကပ်လာသည်။ PCB အပြင်အဆင်သည်ပိုမိုကျစ်လျစ်လာပြီး၊ လမ်းကြောင်းသိပ်သည်းဆသည်ပိုမိုကြီးမားလာသည်။ Anylayer (မတရားအမိန့်) နည်းပညာကို signal သမာဓိကဲ့သို့စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမထိခိုက်စေဘဲဒီဇိုင်းကိုမြှင့်တင်ရန်၎င်းသည် ALIVH မည်သည့်အလွှာ IVH ဖွဲ့စည်းပုံ multilayer ပုံနှိပ်ဝါယာဘုတ်ဖြစ်သည်။
မည်သည့်အလွှာ၏မည်သည့်အလွှာ၏နည်းပညာဆိုင်ရာလက္ခဏာများ
HDI နည်းပညာ၏ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါ၊ ALIVH ၏အားသာချက်မှာဒီဇိုင်းလွတ်လပ်ခွင့်ကိုအလွန်တိုးတက်စေပြီး HDI နည်းပညာဖြင့်မရနိုင်သောအလွှာများအကြားတွင်လွတ်လပ်စွာအပေါက်ဖောက်နိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ပြည်တွင်းထုတ်လုပ်သူများသည် HDI ၏ဒီဇိုင်းကန့်သတ်ချက်သည်တတိယအမိန့် HDI ဘုတ်အဖွဲ့ဖြစ်သည်။ HDI သည်လေဆာတူးဖော်ခြင်းကိုလုံး ၀ မချမှတ်သောကြောင့်အတွင်းလွှာ၌မြှုပ်ထားသောအပေါက်သည်စက်တွင်းများကိုသုံးသောကြောင့်အပေါက် disc ၏လိုအပ်ချက်များသည်လေဆာအပေါက်များထက်ပိုကြီးပြီးစက်တွင်းများသည်ဖြတ်သန်းသွားသောအလွှာတွင်နေရာယူသည်။ ထို့ကြောင့်ယေဘုယျအားဖြင့် ALIVH နည်းပညာကိုမတရားတူးဖော်မှုနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်အတွင်းပိုင်း core plate ၏ pore diameter သည် 0.2mm micropores ကိုသုံးနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် ALIVH board ၏ဝါယာကြိုးနေရာသည် HDI ထက်များစွာမြင့်မားသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် ALIVH ၏ကုန်ကျစရိတ်နှင့်စီမံဆောင်ရွက်ရခက်ခဲခြင်းသည်လည်း HDI လုပ်ငန်းစဉ်များထက်မြင့်မားသည်။ ပုံ ၃ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း၎င်းသည် ALIVH ၏အစီအစဉ်ဇယားတစ်ခုဖြစ်သည်။
မည်သည့်အလွှာ၌မဆို Via များ၏စိန်ခေါ်မှုများကိုဒီဇိုင်းဆွဲပါ
နည်းပညာမှတဆင့်ထင်သလိုအလွှာသည်အစဉ်အလာကိုဒီဇိုင်းနည်းလမ်းမှတဆင့်လုံးလုံးလျားလျားချေဖျက်သည်။ အကယ်၍ သင်သည်မတူညီသောအလွှာများတွင်နေရာများထားရှိရန်လိုအပ်ပါကစီမံခန့်ခွဲမှု၏အခက်အခဲကိုတိုးစေလိမ့်မည်။ ဒီဇိုင်းကိရိယာသည်အသိဥာဏ်တူးဖော်နိုင်သောစွမ်းရည်ရှိရန်လိုအပ်ပြီး၎င်းအားအလိုအလျောက်ပေါင်းစပ်။ ခွဲနိုင်သည်။
ပုံ ၄ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်းဝါယာကြိုးအစားထိုးအလွှာကိုအခြေခံသောဝါယာကြိုးအစားထိုးခြင်းနည်းလမ်းအားအလုပ်ဝါယာကြိုးအစားထိုးနည်းလမ်းအား Cadence ကထပ်ဖြည့်သည်။ ဝါယာကြိုးအစားထိုးမှုအတွက်မည်သည့်အလွှာကိုမဆိုရွေးချယ်ရန်အပေါက်
ALIVH ဒီဇိုင်းနှင့်ပန်းကန်ပြုလုပ်ပုံဥပမာ
၁၀ ထပ် ELIC ဒီဇိုင်း
OMAP4 ပလက်ဖောင်း
မြေမြှုပ်ခံနိုင်ရည်၊ မြှုပ်နှံနိုင်စွမ်းနှင့်မြှုပ်ထားသောအစိတ်အပိုင်းများ
အင်တာနက်နှင့်လူမှုကွန်ရက်များသို့မြန်နှုန်းမြင့်သုံးခွင့်ရရန်လက်ကိုင်ကိရိယာများကိုပေါင်းစပ်မှုမြင့်မားရန်လိုအပ်သည်။ လောလောဆယ် 4-n-4 HDI နည်းပညာကိုအားကိုးသည်။ သို့ရာတွင်နည်းပညာသစ်၏မျိုးဆက်သစ်များအတွက်ပိုမိုမြင့်မားသောအပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှုသိပ်သည်းဆကိုရရှိစေရန်အတွက်ဤနယ်ပယ်၌ passive သို့မဟုတ် active အစိတ်အပိုင်းများကို PCB နှင့် substrate သို့ထည့်သွင်းခြင်းသည်အထက်ပါလိုအပ်ချက်များနှင့်ပြည့်မီနိုင်သည်။ သင်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများ၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ကင်မရာများနှင့်အခြားလူသုံးကုန်အီလက်ထရောနစ်ပစ္စည်းများကိုဒီဇိုင်းထုတ်သောအခါ passive နှင့် active အစိတ်အပိုင်းများကို PCB နှင့် substrate ထဲသို့မည်သို့ထည့်သွင်းရန်စဉ်းစားရန်လက်ရှိဒီဇိုင်းရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်။ သင်မတူသောပေးသွင်းသူများအသုံးပြုသောကြောင့်ဤနည်းလမ်းသည်အနည်းငယ်ကွဲပြားနိုင်ပါသည်။ မြှုပ်ထားသောအစိတ်အပိုင်းများ၏နောက်ထပ်အားသာချက်တစ်ခုမှာနည်းပညာသည် reverse design ဟုခေါ်သောအသိဥာဏ်ပစ္စည်းဆိုင်ရာကာကွယ်မှုကိုပေးသည်။ Allegro PCB အယ်ဒီတာသည်စက်မှုဖြေရှင်းချက်များပေးနိုင်သည်။ Allegro PCB အယ်ဒီတာသည်လည်း HDI ဘုတ်အဖွဲ့၊ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဘုတ်နှင့်ထည့်ထားသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့်ပိုမိုနီးကပ်စွာလုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ထည့်သွင်းထားသောအစိတ်အပိုင်းများ၏ဒီဇိုင်းကိုပြီးမြောက်ရန်မှန်ကန်သောသတ်မှတ်ချက်များနှင့်ကန့်သတ်ချက်များကိုသင်ရနိုင်သည်။ ထည့်သွင်းထားသောကိရိယာများ၏ဒီဇိုင်းသည် SMT ၏လုပ်ငန်းစဉ်ကိုရိုးရှင်းစေရုံသာမကထုတ်ကုန်များ၏သန့်ရှင်းမှုကိုလည်းများစွာတိုးတက်စေနိုင်သည်။
ခံနိုင်ရည်နှင့်စွမ်းရည်မြှုပ်နှံဒီဇိုင်း
မြေမြှုပ်ခံနိုင်ရည်ဟုခေါ်သည်၊ မြှုပ်ထားသောခုခံမှု (သို့) ရုပ်ရှင်ခုခံရေးဟုခေါ်သော insulating substrate တွင်အထူးခုခံမှုရှိသောပစ္စည်းကိုပုံနှိပ်ရန်၊ ပုံနှိပ်ခြင်းနှင့်အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များမှတဆင့်လိုအပ်သောခုခံတန်ဖိုးကိုရယူရန်၎င်းအားအခြား PCB အလွှာများနှင့်တွဲနှိပ်ပါ။ လေယာဉ်ခုခံလွှာ။ PTFE မြေမြှုပ်ခံနိုင်ရည် multilayer ပုံနှိပ်ဘုတ်အဖွဲ့၏ဘုံကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာသည်လိုအပ်သောခုခံမှုကိုရရှိနိုင်သည်။
မြှုပ်နှံထားသော capacitance သည် capacitance သိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပစ္စည်းကို သုံး၍ board ၏ discrete capacitance ကို decoupling နှင့် power supply system ၏ decoupling နှင့် filtering ၏အခန်းကဏ္ to ကိုဖွင့်ရန်လုံလောက်သော inter plate capacitance ဖွဲ့စည်းရန်အလွှာများအကြားအကွာအဝေးကိုလျှော့ချပေးသည်။ ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြိမ်နှုန်းစစ်ထုတ်မှုလက္ခဏာများကိုရရှိစေသည်။ မြှုပ်နှံထားသော capacitance ၏ကပ်ပါးပါ ၀ င်မှုသည်အလွန်သေးငယ်သောကြောင့်၎င်း၏ resonant frequency point သည်သာမန် capacitance သို့မဟုတ် ESL capacitance နိမ့်သည်ထက်ပိုကောင်းလိမ့်မည်။
လုပ်ငန်းစဉ်နှင့်နည်းပညာရင့်ကျက်မှုနှင့်ပါဝါထောက်ပံ့ရေးစနစ်အတွက်မြန်နှုန်းမြင့်ဒီဇိုင်းလိုအပ်ခြင်းတို့ကြောင့်မြှုပ်နှံနိုင်သောစွမ်းရည်နည်းပညာကို ပို၍ ပို၍ အသုံးချလာသည်။ မြှုပ်နှံနိုင်သောစွမ်းရည်နည်းပညာကို သုံး၍ ကျွန်ုပ်တို့သည်ပြားချပ်ချပ်စွမ်းရည်၏အရွယ်အစားကိုတွက်ရန်ပထမပုံ ၆ ပြားချပ်ပြားစွမ်းရည် capacitance တွက်ချက်ပုံသေနည်းကိုအရင်ဆုံးတွက်ချက်ရပါမည်
ယင်းတို့ထဲမှ:
C သည်မြှုပ်နှံထားသော capacitance (plate capacitance) ၏ capacitance ဖြစ်သည်။
A သည်ပြားပြားများ၏ဧရိယာဖြစ်သည်။ ဒီဇိုင်းအများစုတွင်ဖွဲ့စည်းပုံကိုဆုံးဖြတ်သည့်အခါပြားချပ်ပြားများအကြားဧရိယာကိုတိုးရန်ခက်ခဲသည်
D_ K သည်ပန်းကန်များကြားရှိ medium of dielectric constant ဖြစ်ပြီး discs များအကြား capacitance သည် dielectric constant နှင့်တိုက်ရိုက်အချိုးကျသည်။
K သည် vacuum permittivity ဟုလည်းခေါ်သည်။ ၎င်းသည် ၈.၈၅၄ ၁၈၇ ၈၁၈ × ၁၀-၁၂ farad / M (F / M) တန်ဖိုးနှင့်ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာကိန်းသေတစ်ခုဖြစ်သည်။
H သည်လေယာဉ်များအကြားအထူဖြစ်ပြီး၊ ပန်းကန်များကြားရှိ capacitance သည်အထူနှင့်ပြောင်းပြန်အချိုးကျသည်။ ထို့ကြောင့်ကျွန်ုပ်တို့သည်ကြီးမားသော capacitance ကိုရယူလိုလျှင် interlayer အထူကိုလျှော့ချရန်လိုသည်။ 3M c-ply မြှုပ်ထားသော capacitance ပစ္စည်းသည် interlayer dielectric အထူ ၀.၅၆ မီလီမီတာကိုရရှိနိုင်ပြီး ၁၆ ၏ dielectric constant သည်ပန်းကန်များအကြား capacitance ကိုများစွာတိုးစေသည်။
တွက်ချက်ပြီးနောက် 3M c-ply မြှုပ်ထားသော capacitance ပစ္စည်းသည်တစ်လက်မလျှင် ၆.၄၂nf နှုန်းဖြင့် inter plate capacitance ကိုရရှိနိုင်သည်။
တစ်ချိန်တည်းတွင်၎င်းသည် board တစ်ခုတည်း၏ capacitance ဒီဇိုင်းအစီအစဉ်ကိုဆုံးဖြတ်ရန်နှင့်မြှုပ်ထားသော capacitance နှင့် discrete capacitance တို့ကိုထပ်တလဲလဲဒီဇိုင်းကိုရှောင်ရှားရန် PDN ၏ပစ်မှတ် impedance ကိုတူအောင်ပြုလုပ်ရန်လည်းလိုအပ်သည်။ ပုံ ၇ တွင် PI simulation ရလဒ်များကို discrete capacitance ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုမထည့်ဘဲ inter board capacitance ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုသာထည့်သွင်းစဉ်းစားသည်။ မြှုပ်နှံနိုင်သောစွမ်းရည်ကိုမြှင့်တင်ခြင်းအားဖြင့်ဘုတ်အဆင့် discrete filter capacitor သည်အလုပ်လုပ်ရန်ခက်ခဲသောလှိုင်းနှုန်းတစ်ခုဖြစ်သောအထူးသဖြင့် 7MHz အထက်တွင်သိသိသာသာတိုးတက်လာသည်ကိုတွေ့မြင်နိုင်သည်။ board capacitor သည် power impedance ကိုထိရောက်စွာလျှော့ချနိုင်သည်။