1. BT အစေး
BT အစေး၏နာမည်အပြည့်အစုံမှာ“ bismaleimide triazine resin” ဖြစ်ပြီးဂျပန်မစ်ဆူဘီရှီဓာတ်ငွေ့ကုမ္ပဏီမှထုတ်လုပ်သောဆေးဖြစ်သည်။ BT အစေး၏မူပိုင်ခွင့်သက်တမ်းကုန်ဆုံးသွားပြီဖြစ်သော်လည်းမစ်ဆူဘီရှီဂက်စ်ကုမ္ပဏီသည် R & D နှင့် BT အစေးကိုအသုံးချရာတွင်ကမ္ဘာပေါ်တွင် ဦး ဆောင်နေဆဲဖြစ်သည်။ BT အစေးသည်မြင့်မားသော Tg၊ မြင့်မားသောအပူခုခံနိုင်မှု၊ အစိုဓာတ်ခံနိုင်ရည်၊ dielectric constant (DK) နှင့် low loss factor (DF) ကဲ့သို့သောအားသာချက်များစွာရှိသည်။ သို့သော်ဖန်မျှင်ကြိုးအလွှာကြောင့် ABF ဖြင့်ပြုလုပ်သော FC အလွှာထက်ပိုခက်ခဲသည်၊ မီးကြိုးများနှင့်လေဆာတူးဖော်ရာတွင်မြင့်မားသောအခက်အခဲ၊ ၎င်းသည်ဒဏ်ငွေလိုင်းများ၏လိုအပ်ချက်များနှင့်မကိုက်ညီသော်လည်းအရွယ်အစားကိုတည်ငြိမ်စေပြီးအပူချဲ့ခြင်းကိုတားဆီးနိုင်သည်။ လိုင်းအထွက်နှုန်းကိုထိခိုက်ခြင်းမှအအေးဓာတ်ကျုံ့ခြင်း၊ ထို့ကြောင့် BT ပစ္စည်းများကိုအများအားဖြင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားရန်လိုအပ်ချက်များနှင့်အတူကွန်ယက်ချစ်ပ်များနှင့် programmable logic chip များအတွက်သုံးသည်။ လက်ရှိတွင် BT အလွှာများကိုအများအားဖြင့်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်း MEMS ချစ်ပ်များ၊ ဆက်သွယ်ရေးချစ်ပ်များ၊ မှတ်ဉာဏ်ချစ်ပ်များနှင့်အခြားထုတ်ကုန်များတွင်သုံးသည်။ LED ချစ်ပ်များလျင်မြန်စွာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ LED chip ထုပ်ပိုးမှု၌ BT အလွှာများအသုံးပြုမှုသည်လည်းလျင်မြန်စွာတိုးတက်လာသည်။

2,ABF
ABF ပစ္စည်းသည် Intel မှ ဦး ဆောင်။ တီထွင်ထားသောပစ္စည်းဖြစ်ပြီး flip chip ကဲ့သို့အဆင့်မြင့်သယ်ဆောင်ရေးပြားများထုတ်လုပ်ရာတွင်အသုံးပြုသည်။ BT အလွှာနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် ABF ပစ္စည်းကို IC ကဲ့သို့ပါးလွှာသောနံပါတ်နှင့်မြင့်သောထုတ်လွှင့်မှုအတွက်သင့်တော်သည်။ ၎င်းကိုအများအားဖြင့် CPU, GPU နှင့် chip set ကဲ့သို့ high-end chips ကြီးများအတွက်သုံးသည်။ ABF ကိုနောက်ထပ်အလွှာပစ္စည်းအဖြစ်သုံးသည်။ ABF ကိုအပူအနှိပ်လုပ်ငန်းစဉ်မပါဘဲပတ်လမ်းအဖြစ်ကြေးနီသတ္တုပါးအလွှာနှင့်တိုက်ရိုက်တွဲနိုင်သည်။ အရင်တုန်းက abffc မှာအထူပြဿနာရှိခဲ့တယ်။ သို့သော်ကြေးနီသတ္တုပါးအလွှာ၏ပိုအဆင့်မြင့်သောနည်းပညာကြောင့် abffc သည်၎င်းသည်ပါးလွှာသောပန်းကန်ကိုသုံးနေသဖြင့်အထူပြဿနာကိုဖြေရှင်းနိုင်သည်။ အစောပိုင်းကာလများတွင် ABF board များရှိ CPU အများစုကိုကွန်ပျူတာများနှင့်ဂိမ်းစက်များတွင်အသုံးပြုခဲ့သည်။ စမတ်ဖုန်းများမြင့်တက်လာခြင်းနှင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာပြောင်းလဲခြင်းတို့ကြောင့် ABF လုပ်ငန်းသည်တစ်ချိန်ကဒီရေအနိမ့်သို့ကျဆင်းခဲ့သည်။ သို့သော်လည်းမကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းကွန်ယက်မြန်နှုန်းတိုးတက်လာမှုနှင့်နည်းပညာတိုးတက်မှုများနှင့်အတူစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်တွက်ချက်မှုဆိုင်ရာအသုံးချမှုအသစ်များလည်းပေါ်ထွက်လာခဲ့ပြီး ABF အတွက် ၀ ယ်လိုအားသည်လည်းတစ်စတစ်စကျယ်လာခဲ့သည်။ စက်မှုလမ်းကြောင်း၏ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် ABF အလွှာသည် semiconductor အဆင့်မြင့်အလားအလာများကိုအရှိန်မြှင့်တင်နိုင်ပြီး၊ ပါးလွှာသောမျဉ်းများ၊ မျဉ်းကြောင်းအကျယ် / မျဉ်းအကွာအဝေးလိုအပ်ချက်များနှင့်အနာဂတ်ဈေးကွက်အလားအလာတို့ကိုမျှော်မှန်းနိုင်သည်။
ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်အကန့်အသတ်ဖြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းခေါင်းဆောင်များသည်ထုတ်လုပ်မှုကိုတိုးချဲ့လာသည်။ ၂၀၁၉ ခုနှစ်မေလတွင် Xinxing သည် high-order IC cladding carrier စက်ရုံကိုတိုးချဲ့ပြီး ABF substrates များကိုအားကြိုးမာန်တက်တည်ဆောက်ရန် ၂၀၁၉ မှ ၂၀၂၂ အထိယွမ် ၂၀ ဘီလီယံရင်းနှီးမြှုပ်နှံလိမ့်မည်ဟုကြေငြာခဲ့သည်။ အခြားထိုင်ဝမ်အပင်များနှင့် ပတ်သက်၍ jingshuo သည် class carrier plate များကို ABF ထုတ်လုပ်မှုသို့လွှဲပြောင်းပေးလိမ့်မည်ဟုမျှော်လင့်ရပြီး Nandian သည်လည်းထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကိုစဉ်ဆက်မပြတ်တိုးမြင့်နေသည်။ ယနေ့ခေတ်အီလက်ထရောနစ်ထုတ်ကုန်များသည် SOC (system ပေါ်တွင် chip) နီးပါးရှိပြီး၊ လုပ်ဆောင်ချက်အားလုံးနီးပါးကို IC သတ်မှတ်ချက်များအရသတ်မှတ်သည်။ ထို့ကြောင့် back-end packaging IC carrier ဒီဇိုင်း၏နည်းပညာနှင့်ပစ္စည်းများသည်နောက်ဆုံးတွင် IC ချစ်ပ်များ၏မြန်နှုန်းမြင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုပံ့ပိုးပေးနိုင်ရန်အလွန်အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ play မှပါ ၀ င်လိမ့်မည်။ လက်ရှိတွင် ABF (Ajinomoto build up film) သည်စျေးကွက်တွင်အဆင့်မြင့် IC သယ်ဆောင်မှုအတွက်လူကြိုက်အများဆုံးအလွှာဖြစ်ပြီး ABF ပစ္စည်းများကိုအဓိကပေးသွင်းသူများမှာ Ajinomoto နှင့် Sekisui ဓာတုကဲ့သို့ဂျပန်ထုတ်လုပ်သူများဖြစ်သည်။
Jinghua နည်းပညာသည်တရုတ်နိုင်ငံတွင် ABF ပစ္စည်းများလွတ်လပ်စွာတီထွင်ထုတ်လုပ်နိုင်သောပထမဆုံးထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင်ထုတ်ကုန်များကိုပြည်တွင်းနှင့်ပြည်ပမှထုတ်လုပ်သူများစွာကအတည်ပြုထားပြီးအရေအတွက်အနည်းငယ်ဖြင့်ပို့ဆောင်ပေးခဲ့သည်။

3,MIS
MIS အလွှာထုပ်ပိုးနည်းပညာသည် analog၊ power IC၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်ငွေကြေးစသည်ဖြင့်စျေးကွက်နယ်ပယ်များတွင်လျင်မြန်စွာတိုးတက်နေသောနည်းပညာသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ရိုးရာအလွှာများနှင့်ကွဲပြားခြားနားသော MIS တွင်ကြိုတင်ထုပ်ပိုးထားသောဖွဲ့စည်းပုံအလွှာတစ်ခု (သို့) တစ်ခုထက်မကပါဝင်သည်။ ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်၌လျှပ်စစ်ဆက်သွယ်မှုပေးနိုင်ရန်အလွှာတစ်ခုစီကို electroplating copper ဖြင့်ဆက်သွယ်ထားသည်။ MIS တွင်ပိုမိုကောင်းမွန်သောဝါယာကြိုးစွမ်းရည်၊ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်နှင့်အပူပေးစွမ်းနိုင်မှုနှင့်သေးငယ်သည့်ပုံသဏ္န်ရှိသောကြောင့် MIS သည် QFN အထုပ်သို့မဟုတ် leadframe အခြေခံအထုပ်ကဲ့သို့သောရိုးရာအထုပ်များကိုအစားထိုးနိုင်သည်။