氮化鋁陶瓷PCB

 

氮化鋁陶瓷是一種以氮化鋁(AIN)為主要晶相的陶瓷材料。 在氮化鋁陶瓷基板上蝕刻金屬線路為氮化鋁陶瓷基板。

1、氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主要晶相的陶瓷。

2、Ain晶體以(ain4)四面體為結構單元,共價鍵化合物,具有纖鋅礦結構,屬於六方晶系。

3.化學成分ai65 81%,N34。 19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓昇華分解溫度2450℃。

4、氮化鋁陶瓷是一種高溫耐熱材料,熱膨脹係數為(4.0-6.0)x10(-6)/℃。

5、多晶ain的熱導率為260W/(mk),比氧化鋁高5-8倍,因此具有良好的抗熱震性,可耐2200℃高溫。

6、氮化鋁陶瓷具有優良的耐腐蝕性。

 

 

 

陶瓷電路板具有良好的高頻和電性能,並具有有機基板所不具備的特性,如高導熱性、優異的化學穩定性和熱穩定性。 是新一代大規模集成電路和電力電子模塊的理想封裝材料。

生活設施和工業設備所需的半導體儀器發展迅速,具有高功耗、高度集成化和模塊化、安全係數高、操作靈敏等特點。 因此,高導熱材料的製備仍是目前亟待解決的問題。 以氮化鋁為基礎的陶瓷具有最適宜的綜合性能。 並且經過各種試驗,逐漸出現在人們的視野中,最大的應用領域是大功率LED產品。
作為熱流的主要路徑,氮化鋁陶瓷電路板在大功率LED的封裝應用中必不可少。 對提高散熱效率、降低結溫、提高器件的可靠性和使用壽命具有非常重要的作用。

LED散熱電路板主要分為:LED顆粒電路板和系統電路板。 LED晶粒電路板主要用作LED晶粒與系統電路板之間的熱能輸出介質,通過拉絲、共晶或熔覆等工藝與LED晶粒結合。

隨著大功率LED的發展,陶瓷電路板是基於散熱考慮的主要電路板:大功率電路的傳統製備方法有XNUMX種:

1.厚膜陶瓷板

2. Low temperature co fired multilayer ceramics

3.薄膜陶瓷電路板

Based on the combination mode of LED grain and ceramic circuit board: gold wire, but the connection of gold wire limits the efficiency of heat dissipation along the electrode contact, so it meets the bottleneck of heat dissipation.

氮化鋁陶瓷基板將取代鋁基板,成為未來大功率LED芯片市場的霸主。