氮化铝陶瓷是一种以氮化铝（AIN）为主要晶相的陶瓷材料。 在氮化铝陶瓷基板上蚀刻金属线路为氮化铝陶瓷基板。

1、氮化铝陶瓷是以氮化铝（AIN）为主要晶相的陶瓷。

2、Ain晶体以(ain4)四面体为结构单元，共价键化合物，具有纤锌矿结构，属于六方晶系。

3.化学成分ai65 81%，N34。 19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压升华分解温度2450℃。

4、氮化铝陶瓷是一种高温耐热材料，热膨胀系数为（4.0-6.0）x10（-6）/℃。

5、多晶ain的热导率为260W/(mk)，比氧化铝高5-8倍，因此具有良好的抗热震性，可耐2200℃高温。

6、氮化铝陶瓷具有优良的耐腐蚀性。

陶瓷电路板具有良好的高频和电性能，并具有有机基板所不具备的特性，如高导热性、优异的化学稳定性和热稳定性。 是新一代大规模集成电路和电力电子模块的理想封装材料。

生活设施和工业设备所需的半导体仪器发展迅速，具有高功耗、高度集成化和模块化、安全系数高、操作灵敏等特点。 因此，高导热材料的制备仍是目前亟待解决的问题。 以氮化铝为基础的陶瓷具有最适宜的综合性能。 并且经过各种试验，逐渐出现在人们的视野中，最大的应用领域是大功率LED产品。
作为热流的主要路径，氮化铝陶瓷电路板在大功率LED的封装应用中必不可少。 对提高散热效率、降低结温、提高器件的可靠性和使用寿命具有非常重要的作用。

LED散热电路板主要分为：LED颗粒电路板和系统电路板。 LED晶粒电路板主要用作LED晶粒与系统电路板之间的热能输出介质，通过拉丝、共晶或熔覆等工艺与LED晶粒结合。

随着大功率LED的发展，陶瓷电路板是基于散热考虑的主要电路板：大功率电路的传统制备方法有XNUMX种：

1.厚膜陶瓷板

2.低温共烧多层陶瓷

3.薄膜陶瓷电路板

基于LED晶粒与陶瓷电路板的组合方式：金线，但金线的连接限制了沿电极接触的散热效率，因此遇到了散热瓶颈。

氮化铝陶瓷基板将取代铝电路板，成为未来大功率LED芯片市场的霸主。