Eliminatioun Technologie vun PCB immersion Sëlwer Layer

1. aktuelle Status

Jidderee weess dat well gedréckt Circuit Verwaltungsrot kënnen net ëmgeschafft ginn nodeems se zesummegesat sinn, de Käschteverloscht verursaacht duerch Schrott wéinst Mikrovoiden ass den héchsten. Och wann aacht vun de PWB-Fabrikanten de Defekt wéinst dem Retour vum Client gemierkt hunn, ginn esou Mängel haaptsächlech vum Assembler opgeworf. De Solderbarkeetproblem ass guer net vum PWB Hiersteller gemellt ginn. Nëmmen dräi Assembléeure hu falsch de “Zinn-Schrumpfung”-Problem op dem héijen Aspekt Verhältnis (HAR) décke Bord mat grousse Wärmebecher / Flächen ugeholl (bezunn op de Wellesolderproblem). D’Postsolder gëtt nëmmen op d’Halschent vun der Tiefe vum Lach gefëllt) wéinst der Tauchsëlwerschicht. Nodeems den Originalausrüstungshersteller (OEM) méi déif Fuerschung a Verifizéierung iwwer dëse Problem gemaach huet, ass dëse Problem komplett wéinst dem Lötbarkeetproblem verursaacht vum Circuitboard Design, an huet näischt mam Immersion Sëlwerprozess oder aner Finale ze dinn. Uewerfläch Behandlung Methoden.

ipcb

2. Root Ursaach Analyse

Duerch d’Analyse vun der Wuerzelursaach vun de Mängel kann de Defektquote miniméiert ginn duerch eng Kombinatioun vu Prozessverbesserung a Parameteroptimiséierung. De Javanni-Effekt erschéngt normalerweis ënner de Rëss tëscht der Lötmaske an der Kupferfläch. Wärend dem Sëlwer-Immersiounsprozess, well d’Risse ganz kleng sinn, gëtt d’Sëlwerioneversuergung hei duerch d’Sëlwer-Immersiounsflëssegkeet begrenzt, awer de Kupfer kann hei zu Kupferionen korrodéiert ginn, an dann entsteet eng Tauchsëlwerreaktioun op der Kupferfläch ausserhalb vum knacken. . Well d’Ionkonversioun d’Quell vun der Tauchsëlwerreaktioun ass, ass de Grad vun der Attack op der Kupferfläch ënner der Rëss direkt mat der Dicke vum Tauchsëlwer verbonnen. 2Ag++1Cu=2Ag+1Cu++ (+ ass e Metallion deen en Elektron verléiert) Rëss kënnen aus enger vun de folgende Grënn geformt ginn: Säitkorrosioun / exzessiv Entwécklung oder schlecht Bindung vun der soldermaske op d’Kupferfläch; ongläiche Koffer electroplating Layer (Lach Dënn Koffer Beräich); Et gi offensichtlech déif Kratzer op der Basis Kupfer ënner der Soldermaske.

Korrosioun gëtt duerch d’Reaktioun vu Schwefel oder Sauerstoff an der Loft mat der Metalloberfläch verursaacht. D’Reaktioun vu Sëlwer a Schwefel wäert e giele Sëlwersulfid (Ag2S) Film op der Uewerfläch bilden. Wann de Schwefelgehalt héich ass, gëtt de Sëlwersulfidfilm schliisslech schwaarz. Et gi verschidde Weeër fir Sëlwer kontaminéiert ze ginn duerch Schwefel, Loft (wéi uewen ernimmt) oder aner Verschmotzungsquellen, wéi PWB Verpackungspabeier. D’Reaktioun vu Sëlwer a Sauerstoff ass en anere Prozess, normalerweis Sauerstoff a Kupfer ënner der Sëlwerschicht reagéiere fir donkelbrong Kuprosoxid ze produzéieren. Dës Aart vu Defekt ass normalerweis well d’Immersiounssëlwer ganz séier ass, a bildt eng niddreg Dicht Immersion Sëlwerschicht, déi de Kupfer am ënneschten Deel vun der Sëlwerschicht einfach mat der Loft kontaktéiere léisst, sou datt de Kupfer mam Sauerstoff reagéiert an der Loft. Déi locker Kristallstruktur huet méi grouss Lücken tëscht de Kären, sou datt eng méi déck Tauchsëlwerschicht gebraucht gëtt fir d’Oxidatiounsresistenz z’erreechen. Dëst bedeit datt eng méi déck Sëlwerschicht während der Produktioun deposéiert muss ginn, wat d’Produktiounskäschte erhéicht an och d’Wahrscheinlechkeet vu Solderbarkeetproblemer erhéicht, wéi Mikrovoiden a schlecht Löt.

D’Belaaschtung vu Kupfer ass normalerweis mam chemesche Prozess virum Sëlwer-Immersioun verbonnen. Dëse Defekt erschéngt nom Immersiouns-Sëlwerprozess, haaptsächlech well de Reschtfilm net komplett duerch de fréiere Prozess ofgeschaaft gëtt d’Oflagerung vun der Sëlwerschicht behënnert. Am meeschte verbreet ass de Reschtfilm deen duerch de Lötmaskeprozess entstanen ass, deen duerch déi onrein Entwécklung am Entwéckler verursaacht gëtt, wat de sougenannte “Reschtfilm” ass. Dëse Reschtfilm behënnert d’Immersiounssëlwerreaktioun. De mechanesche Behandlungsprozess ass och ee vun de Grënn fir d’Beliichtung vu Kupfer. D’Uewerflächenstruktur vum Circuit Board wäert d’Uniformitéit vum Kontakt tëscht dem Board an der Léisung beaflossen. Net genuch oder exzessiv Léisungszirkulatioun wäert och eng ongläich Sëlwer-Immersiounsschicht bilden.

Ionverschmotzung D’ionesch Substanzen, déi op der Uewerfläch vum Circuit Board präsent sinn, stéieren d’elektresch Leeschtung vum Circuit Board. Dës Ione kommen haaptsächlech aus der Sëlwer-Immersiounsflëssegkeet selwer (d’Sëlwer-Immersiounsschicht bleift oder ënner der Soldermaske). Verschidde immersion Sëlwer Léisungen hunn verschidden Ion Inhalt. Wat méi héich den Iongehalt ass, dest méi héich ass den Ionverschmotzungswäert ënner de selwechte Wäschbedéngungen. D’Porositéit vun der Tauchsëlwerschicht ass och ee vun de wichtege Faktoren, déi d’Ionverschmotzung beaflossen. D’Sëlwerschicht mat héijer Porositéit wäert wahrscheinlech Ionen an der Léisung behalen, wat et méi schwéier mécht mat Waasser ze wäschen, wat schliisslech zu enger entspriechender Erhéijung vum Wäert vun der Ionverschmotzung féiert. De Post-Wäscheffekt wäert och direkt d’Ionverschmotzung beaflossen. Net genuch Wäschen oder onqualifizéiert Waasser verursaache Ionverschmotzung fir de Standard ze iwwerschreiden.

Microvoids sinn normalerweis manner wéi 1mil am Duerchmiesser. D’Voiden, déi op der Metall-Interfaceverbindung tëscht dem Löt an der Lötfläche lokaliséiert sinn, ginn Mikrovoiden genannt, well se tatsächlech “Fligerhuelraim” op der Lötfläch sinn, sou datt se staark reduzéiert ginn. Schweess Kraaft. D’Uewerfläch vun OSP, ENIG an immersion Sëlwer wäert microvoids hunn. D’Wurzelursaach vun hirer Bildung ass net kloer, awer verschidde Aflossfaktoren goufen bestätegt. Och wann all Mikrovoiden an der Tauchsëlwerschicht op der Uewerfläch vum décke Sëlwer optrieden (Dicke iwwer 15μm), wäerten net all déck Sëlwerschichten Mikrovoiden hunn. Wann d’Kupferoberflächestruktur um Enn vun der Tauchsëlwerschicht ganz rau ass, si Mikrovoiden méi wahrscheinlech op. D’Optriede vu Mikrovoiden schéngt och mat der Aart an der Zesummesetzung vun der organescher Matière verbonnen ze sinn, déi an der Sëlwerschicht co-deposéiert sinn. An Äntwert op déi uewe Phänomen, Original Equipement Hiersteller (OEM), Equipement Fabrikatioun Service Provider (EMS), PWB Hiersteller a chemesche Fournisseuren hu verschidde Schweess Studien ënner simuléiert Konditiounen duerchgefouert, mä keent vun hinnen kann de microvoids komplett eliminéiert.