အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကိုလျှော့ချပြီးဧရိယာကိုလျှော့ချပါ ဆားကစ်ဘုတ် wireless RF ပေါင်းစည်းမှုမှတဆင့်

ယနေ့ကြိုးမဲ့ကိရိယာများတွင်ဆားကစ်ပြားပေါ်တွင်အစိတ်အပိုင်းထက်ဝက်ကျော်သည် analog RF ကိရိယာများဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်ဆားကစ်ဘုတ်ဧရိယာနှင့်ပါဝါသုံးစွဲမှုကိုလျှော့ချရန်ထိရောက်သောနည်းလမ်းမှာပိုမိုကြီးမားသော RF ပေါင်းစည်းမှုကိုလုပ်ဆောင်ပြီးစနစ်အဆင့်ချစ်ပ်ဆီသို့တိုးတက်စေရန်ဖြစ်သည်။ ဤစာတမ်းသည် RF ပေါင်းစည်းမှု၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအခြေအနေကိုမိတ်ဆက်ပေးပြီးဤပြဿနာအချို့အတွက်တန်ပြန်တုံ့ပြန်မှုများနှင့်ဖြေရှင်းနည်းများကိုရှေ့တန်းတင်သည်။

လွန်ခဲ့သောနှစ်အနည်းငယ်ကဆယ်လူလာဖုန်းစျေးကွက်သည် single band နှင့် dual band single-mode ဖုန်းများဖြင့်ကြီးစိုးခဲ့ပြီးအသုံးပြုခဲ့သောနည်းပညာသည်သာ ??? ဆယ်လူလာကြိုးများတစ်ခုသို့မဟုတ်နှစ်ခုကိုင်ထားပါ။ တူသော modulation method, multi-channel access scheme and protocol ကိုလက်ခံသည့် frequency band တွင်လက်ခံကျင့်သုံးသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်ယနေ့မျိုးဆက်သစ်ဆယ်လူလာဖုန်းများ၏ဒီဇိုင်းသည်ပိုမိုရှုပ်ထွေးပြီး multi band နှင့် multi mode ကိုပေးနိုင်သည်။ ၎င်းတွင် Bluetooth ကိုယ်ပိုင်ဧရိယာကွန်ယက်၊ GPS တည်နေရာနှင့်အခြားလုပ်ဆောင်ချက်များပါ ၀ င်ပြီး UWB နှင့်တီဗီလက်ခံသည့်လုပ်ဆောင်ချက်များစတင်ပေါ်ပေါက်လာသည်။ ထို့အပြင်ဂိမ်းများ၊ ရုပ်ပုံများ၊ အသံနှင့်ဗွီဒီယိုကဲ့သို့မိုဘိုင်းဖုန်းများတွင်အသုံးများလာသည်။

ကြိုးမဲ့တယ်လီဖုန်းသည်လက်ကိုင်ကိုယ်ပိုင်ဖျော်ဖြေရေးစင်တာဟုခေါ်သောရှုပ်ထွေးသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်လာသည်။ ၎င်း၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းသည်ဒီဇိုင်နာများအတွက်စိန်ခေါ်မှုများကိုဆက်လက်ယူဆောင်လာခဲ့သည်။ အသံဖြင့်သာလုပ်ဆောင်နိုင်သောမိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်မျိုးဆက်သစ်ဆက်သွယ်ရေးဖုန်းများသည်ဆက်သွယ်ရေးလုပ်ဆောင်ခြင်း၊ အပလီကေးရှင်းလုပ်ဆောင်ခြင်း၊ RF အင်တာဖေ့စ်အရေအတွက်နှင့်ပေါင်းစပ်ထားသောမှတ်ဥာဏ်စွမ်းရည်တို့ကြောင့်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများသည်အသံအတိုးအချဲ့ပုံစံ၊ အနိမ့်၊ စျေးနှုန်းနှင့်ကြီးမားသောအရောင်ပြသမှု၊ ၎င်းသည်အစဉ်အလာအသံဖုန်းများနှင့်ဆင်တူပြီးစကားပြောချိန်ကိုပေးနိုင်သည်။ ရှိရင်းစွဲအလုံးစုံအရွယ်အစားနှင့်ပါဝါသုံးစွဲမှုကိုထိန်းသိမ်းထားသော်လည်းအလုံးစုံစနစ်ကုန်ကျစရိတ်ကိုမပြောင်းလဲဘဲထိန်းသိမ်းထားခြင်းဖြင့် function ကိုအဆတိုးလာစေသည်။

သိသာထင်ရှားသည့်အချက်မှာပြဿနာသည်စနစ်ဒီဇိုင်းတစ်ခုလုံး၏အစိတ်အပိုင်းအားလုံးနှင့်ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနှင့်ဖျော်ဖြေရေးအကြောင်းအရာအားလုံးကိုပေးသွင်းသူများနှင့်ပတ်သက်သည်။ ဘုတ်အဖွဲ့ဧရိယာနှင့်ပါဝါသုံးစွဲမှုကိုလျှော့ချရာတွင်အထူးထိရောက်မှုရှိသောဧရိယာတစ်ခုမှာကြိုးမဲ့စနစ်ဒီဇိုင်း၏ RF အပိုင်းဖြစ်သည်။ ယနေ့ပုံမှန်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းတွင်ဘုတ်အဖွဲ့ရှိအစိတ်အပိုင်းများ၏ထက်ဝက်ကျော်သည် analog RF အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော GPS နှင့် WLAN ကဲ့သို့ Bluetooth RF စနစ်များအပါအ ၀ င်ဘုတ်အဖွဲ့တစ်ခုလုံး၏ ၃၀-၄၀ ရာခိုင်နှုန်းကိုစုပေါင်းပေးလိမ့်မည်။ အာကာသလိုအပ်ချက်များကိုတိုးမြှင့်။

ဖြေရှင်းချက်သည်ပိုမိုကြီးမားသော RF ပေါင်းစည်းမှုကိုဆောင်ရွက်ရန်နှင့်နောက်ဆုံးတွင်အပြည့်အဝပေါင်းစည်းထားသောစနစ်အဆင့်ချစ်ပ်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန်ဖြစ်သည်။ RF ဒီဇိုင်းများအတွက်လိုအပ်သောစုစုပေါင်းဆားကစ်ဘုတ်အာကာသကိုလျှော့ချရန်ဒီဇိုင်းနာအချို့က analog-to-digital converters များကိုအင်တင်နာထဲသို့ထည့်သည်။ semiconductor ပေါင်းစည်းမှုနည်းပညာသည်စက်တစ်ခုတည်းတွင်ပိုလုပ်ဆောင်ချက်များကိုပေါင်းစည်းနိုင်သည့်အခါ discrete devices များနှင့်ဤ devices များထားရှိရန်အသုံးပြုသော circuit board space များအလိုက်လျှော့လိမ့်မည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းသည်စနစ်အဆင့်ချစ်ပ်ပေါင်းစည်းမှုသို့ ဦး တည်ရွေ့လျားလာသည်နှင့်အမျှဒီဇိုင်နာများသည်ပိုမိုမြင့်မားသော RF ရှုပ်ထွေးမှုနှင့်သေးငယ်သည့်ကြိုးမဲ့ကိရိယာများတွင်ဘက်ထရီသက်တမ်းပိုရှည်လာစေရန်နည်းပညာအသစ်များကိုဆက်လက်ရှာဖွေလိမ့်မည်။

RF ပေါင်းစည်းမှု၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအခြေအနေ

လွန်ခဲ့သောနှစ်နှစ်ခန့်က RF ပေါင်းစည်းမှု၏အရေးပါသောတိုးတက်မှုတစ်ခုပေါ်လာသည်။ ထိုအချိန်တွင် RF နည်းပညာနှင့်ဒစ်ဂျစ်တယ် baseband modem တိုးတက်လာမှုကကြိုးမဲ့မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများ၌ superheterodyne RF ကိရိယာများကိုတိုက်ရိုက် down receiver များဖြင့်အစားထိုးနိုင်စေခဲ့သည်။ Superheterodyne RF ကိရိယာများကိုနှစ်ပေါင်းများစွာကောင်းစွာသုံးခဲ့သည့် multistage mixers, filter များနှင့် multiple voltage controlled oscillators (VCOs) တို့ကိုသုံးသည်၊ ဒါပေမယ့်တိုက်ရိုက်ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း RF devices များပေါင်းစည်းခြင်းသည် GSM RF အစိတ်အပိုင်းများကိုများစွာလျှော့ချနိုင်သည်။ ၁၉၉၀ နှောင်းပိုင်းများတွင်ပုံမှန် single band superheterodyne RF subsystem သည် PA, antenna switch, LDO, small signal RF နှင့် vctcxo တို့ပါ ၀ င်ပြီး discrete devices ၂၀၀ ခန့်လိုအပ်သည်။ ယနေ့ကျွန်ုပ်တို့သည် VCO, VCXO နှင့် PLL loop filter တို့ကိုပေါင်းစပ်ထားသော band လေးခုပါ ၀ င်သောတိုက်ရိုက်ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်းစနစ်ကိုဒီဇိုင်းထုတ်နိုင်သော်လည်း၎င်း၏အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက် ၅၀ ထက်နည်းသည်

ဥပမာ၊ GSM အတွက် Texas Instruments ၏ transceiver trf6151 (ပုံ ၁) တွင် on-chip voltage regulator, VCO and VCO channel, PA power control, PLL loop filter edge blocker detection, LNA gain step-by-step control and VCXO ။

ဒီဇိုင်နာများအတွက်အဆင့်မြင့်ပေါင်းစည်းမှုသည် wireless RF တွင်အဓိကပြသနာအချို့ကိုကျော်လွှားရန်ကူညီသည်။ အခြေခံအကျဆုံးမှာ DC ပါ ၀ င်မှုထောက်ပံ့ခြင်းနှင့် transceiver ၏စည်းမျဉ်းများဖြစ်သည်။ ခေါ်ဆိုမှုတစ်ခု၏အပူချိန်နှင့်အချိန်အပြောင်းအလဲကြောင့်ဘက်ထရီဗို့အားသည်ပြောင်းလဲလိမ့်မည်။ ထို့ပြင် TX VCO နှင့် Rx VCO ပါဝါထောက်ပံ့မှုမှဆူညံသံများသည်လည်းစနစ်တစ်ခုလုံး၏လုပ်ဆောင်ချက်ကိုထိခိုက်စေလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့်ဒီဇိုင်နာများသည် RF circuit board regulator နှင့်ဆက်စပ်နေသော passive အစိတ်အပိုင်းအများစုကိုမည်သို့ဖြေရှင်းမလဲဟူသောပြဿနာနှင့်ရင်ဆိုင်နေရသည်။ ဤကိရိယာများကို RF transceiver သို့ပေါင်းစည်းခြင်းသည်လိုအပ်သောတစ်ခုတည်းသောပြင်ပအစိတ်အပိုင်းသည်ဒီဇိုင်းကိုလွယ်ကူစေရုံသာမကဆားကစ်ဘုတ်အာကာသကိုလည်းသက်သာစေသည်။

RF ဒီဇိုင်နာများအတွက်နောက်ထပ်စိန်ခေါ်မှုမှာ VCO tuning range နှင့် locking time ဖြစ်သည်။ အားလုံး analog VCO ဒီဇိုင်းများတွင် ၎င်းသည်သော့ခတ်ချိန်နှင့်ချိန်ညှိရန်မကြာခဏလိုအပ်သောကြောင့် loop filter ကိုများသောအားဖြင့် chip အပြင်ဘက်တွင်ထားလေ့ရှိသည်။ တစ်ခါတစ်ရံဤအရာကို VCO tuning range ၏ software control တွင်ဖြေရှင်းနိုင်သည်။ သို့သော်လည်းဤနည်းလမ်းသည်တယ်လီဖုန်း၏အလုံးစုံဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်နောက်ထပ်အရင်းအမြစ်လိုအပ်ချက်များကိုရှေ့တန်းတင်သည်။ ဒစ်ဂျစ်တယ် tuning function ကို VCO တွင်ထည့်သွင်းပြီး self calibration ပေးနိုင်လျှင်တိုးချဲ့ tuning အပိုင်းကိုရယူနိုင်ပြီး loop filter element ကို chip တွင်ထည့်နိုင်သည်။ သိသာထင်ရှားသည်မှာဤအစီအစဉ်သည်ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများအားသူတို့၏အလုပ်ကိုပိုမိုလွယ်ကူစေနိုင်သည်။

GSM စနစ်မှလိုအပ်သော transmitter ပါဝါထိန်းချုပ်မှုကိုရယူရန် PA ထုတ်လုပ်သူများသည်ယေဘူယျအားဖြင့် power amplifier module (PAM) တွင်ဤလုပ်ဆောင်ချက်ကိုထည့်သွင်းထားသည်။ ပါဝါထိန်းချုပ်မှုကိုများသောအားဖြင့်ထောင်ချီသောဒစ်ဂျစ်တယ် CMOS ဂိတ်များနှင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။ ၎င်းကို PAM တွင်သီးခြားချစ်ပ်တစ်ခုဖြင့်ပြုလုပ်သည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းသည် PAM ၏ကုန်ကျစရိတ်ကိုအမေရိကန်ဒေါ်လာ ၀.၃၀ မှ ၀.၄၀ အထိတိုးစေလိမ့်မည်။ ဤလုပ်ဆောင်ချက်ကို RF စက်များသို့ပေါင်းစည်းခြင်းဖြင့် GaAs PAM ထုတ်လုပ်သူများသည်ဒစ်ဂျစ်တယ် CMOS ဆားကစ်များ ၀ ယ် ယူ၍ PAM ထဲသို့မထည့်သွင်းနိုင်ပါ။ လစဉ်လတိုင်းထုတ်ကုန်ပေါင်းထောင်ချီထုတ်လုပ်နေသော OEM အတွက်ဤမလိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းကိုဖယ်ရှားခြင်းသည်၎င်းတို့၏ကုန်ကျစရိတ်ကိုများစွာလျော့ကျစေလိမ့်မည်။

အဆင့်မြင့်ပေါင်းစည်းမှုသည်သိသိသာသာချွေတာပေးနိုင်သော VCXO ဖြစ်သည်။ အရင်တုန်းကစျေးကြီးတဲ့ vctcxo modules တွေကိုသီးခြားကိရိယာတွေအဖြစ် RF device တွေမှာ ၀ ယ်ယူဒီဇိုင်းလုပ်ခဲ့တယ်။ ထို့ကြောင့် vctcxo modules များ၏အစိတ်အပိုင်းများကို RF စက်များထဲသို့ထည့်သွင်းခြင်းသည်ကုန်ကျစရိတ်နှင့်ဆက်စပ်သောဒီဇိုင်းပြသနာများကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ trf6151 ကို သုံး၍ vctcxo ၏လုပ်ဆောင်ချက်ကိုပြီးမြောက်ရန်တန်ဖိုးနည်း crystal နှင့် varactor တို့သာလိုအပ်သည်။

ဤပေါင်းစည်းမှုနှင့်ဒီဇိုင်းရိုးရှင်းမှုရှိသော်လည်း RF ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများသည် input sensitivity နှင့် Rx ပါဝါသုံးစွဲမှုများထဲမှခက်ခဲသောရွေးချယ်မှုများနှင့်ရင်ဆိုင်နေရသည်။ Low noise amplifier (LNA) ကိုဒီဇိုင်းတွင်သုံးသောလက်ရှိပိုကြီးသောအသံသည်အလုံးစုံသောအသံလက္ခဏာများကိုနိမ့်ကျသည်ကိုကောင်းစွာသိသည်။ ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာသည်လက်ခံသူ၏စုစုပေါင်းပါဝါဘတ်ဂျက်နှင့်လက်ခံသူ၏ sensitivity အဆင့်လိုအပ်ချက်များကိုဆုံးဖြတ်ရမည်ဖြစ်သည်။ သို့သော်ပါဝါလျှော့ချမှုနှင့်အတူဆူညံသံသည်လျော့မသွားပေ။ တကယ်တော့ဒါဟာဆန့်ကျင်ဘက်ပါပဲ။ ထို့ကြောင့်၎င်းသည် GSM စံသတ်မှတ်ချက်နှင့်ကိုက်ညီနိုင်သော်လည်းဒီဇိုင်နာများသည်အချို့သောအာရုံခံနိုင်စွမ်းအဆင့်ကိုရရှိရန်၎င်းအားစျေးနှုန်းပေးချေရကျိုးနပ်သည်လားဟုမိမိကိုယ်ကိုမကြာခဏမေးခွန်းထုတ်ရပါမည်။ ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများနှင့် IC ထုတ်လုပ်သူများသည်ဒီဇိုင်းလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင်နီးကပ်စွာပူးပေါင်းရန်လိုအပ်သောကြောင့်ဤမေးခွန်းကိုလည်းရှင်းပြသည်။ ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများထံမှတုံ့ပြန်ချက်သည်အနာဂတ် RF ထုတ်ကုန်များဖွံ့ဖြိုးသောအခါ wireless ကြိုးမဲ့စက်မှုလုပ်ငန်းကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်လမ်းညွှန်ပေးနိုင်သည်။

SOC သို့ ဦး တည်နေသည်

ကြိုးမဲ့စနစ်များ၏ကုန်ကျစရိတ်၊ စွမ်းအားနှင့်ရှုပ်ထွေးမှုကိုလျှော့ချခြင်းသည်စနစ်ပေါင်းစည်းမှု၏လိုအပ်ချက်များကိုအောင်မြင်စွာဖြည့်ဆည်းရန်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သို့သော်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများအတွက်အဆင့်မြင့်ပေါင်းစည်းမှုဖြေရှင်းနည်းများဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးသည်ရှုပ်ထွေးသောနည်းပညာအခက်အခဲများကိုကျော်လွှားရန် semiconductor လုပ်ငန်းလိုအပ်သည်။ ဤအတားအဆီးအချို့ကိုဒီဇိုင်နာများအတွက်မရှိသလောက်ပင်ဖြစ်သည်၊ ၎င်းတို့အများစုသည် SOC ကိရိယာများကိုမည်သို့လုပ်ဆောင်သည်ကိုမသိလိုကြပါ၊ ၎င်းသည်လိုအပ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးစွမ်းနိုင်သရွေ့။ ထို့ကြောင့်ဆဲလ်ဖုန်းပေါင်းစည်းမှုတွင်အသုံးပြုသောကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ရရှိနိုင်မှုကိုထိခိုက်စေမည့်လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာအချို့ကိုလျင်မြန်စွာနားလည်ရန်လိုအပ်သည်။

မိုဘိုင်းလ်ဖုန်း RF အီလက်ထရောနစ်စနစ်ပေါင်းစည်းမှုအတွက်ဖြစ်နိုင်ချေရှိသောအစီအစဉ်များစွာရှိသည်။ ပထမ ဦး စွာရိုးရာ RF ဗိသုကာကိုရိုးရာနည်းပညာကို သုံး၍ အတော်လေးရိုးရှင်းသော bipolar သို့မဟုတ် BiCMOS ဖြစ်စဉ်တွင်အကောင်အထည်ဖော်နိုင်သည်။ နောက်ဆုံး RF chip ကို multi chip ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ (စနစ်အဆင့်ထုပ်ပိုးမှုနည်းပညာ) ကို သုံး၍ မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းဒစ်ဂျစ်တယ်ယုတ္တိဗေဒလုပ်ဆောင်ချက်များနှင့်စုစည်းနိုင်သည်။ ဤနည်းပညာသည်အကျွမ်းတဝင်ရှိသော RF ဒီဇိုင်းနည်းလမ်းများနှင့်ရင့်ကျက်သောလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့်နည်းပညာများကိုအသုံးပြုခြင်းကဲ့သို့အားသာချက်များစွာရှိသော်လည်းစမ်းသပ်ကိရိယာများ၏ကုန်ကျစရိတ်နှင့်အထွက်နှုန်းမြင့်မားသောကြောင့်စီးပွားဖြစ်ရောင်းချရန်ခက်ခဲသည်။

ထို့အပြင်အဆင့်မြင့် BiCMOS (SiGe) wafer လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းအီလက်ထရောနစ်စနစ်ကိုပေါင်းစည်းခြင်းဖြင့်လည်းရနိုင်သည်။ သို့သော် SiGe HBT ကိရိယာများကိုပြုပြင်ရာတွင်အပိုထပ်ဆင့်လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်သောကြောင့်နောက်ဆုံးချစ်ပ်သည်အပိုကုန်ကျစရိတ်လိုအပ်လိမ့်မည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် SiGe BiCMOS နည်းပညာသည်အဆင့်မြင့်ဆုံး lithography လုပ်ငန်းစဉ်ကိုမသုံးနိုင်သောကြောင့် BiCMOS လုပ်ငန်းစဉ်သည်များသောအားဖြင့်အဆင့်မြင့် digital CMOS လုပ်ငန်းစဉ်ထက်နောက်ကျနေသည်။ ဤအရာသည်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများ၏လက္ခဏာများကိုတိုးပွားစေပြီးကုန်ကျစရိတ်ကိုလျှော့ချရန်ကြီးမားသောဖိအားကိုဖြစ်စေလိမ့်မည်။ ဤနည်းပညာသည်စနစ်ယုတ္တိဗေဒသို့မဟုတ်ဒစ်ဂျစ်တယ်အစိတ်အပိုင်းကိုအချိန်တိုင်းအသက်သာဆုံးစျေးနှုန်းဖြင့်မထိန်းသိမ်းနိုင်သောကြောင့်၎င်းကိုရိုးရှင်းသော wafer လုပ်ငန်းစဉ်နည်းဗျူဟာဖြင့်မဖြေရှင်းနိုင်ပါ။ ထို့ကြောင့် BiCMOS (သို့မဟုတ် SiGe) တွင် system baseband function RF ၏ monolithic ပေါင်းစည်းမှုသည်ကောင်းသောရွေးချယ်မှုမဟုတ်ပါ။

ထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်သောနောက်ဆုံးအဖြေသည် CMOS တွင် RF ပေါင်းစည်းမှုဖြစ်ပြီးများစွာသောစိန်ခေါ်မှုများကိုလည်းရင်ဆိုင်ရသည်။ CMOS ဆယ်လူလာ RF ဒီဇိုင်းများအများအပြားရှိသော်လည်းဤဒီဇိုင်းများသည် analog လုပ်ဆောင်ချက်များအပေါ်အခြေခံသည်။ CMOS နည်းပညာဖြင့် analog ရောစပ်စက်များ၊ filter များနှင့်အသံချဲ့စက်များကိုအကောင်အထည်ဖော်ရန်ခက်ခဲသည်။ ပါဝါသုံးစွဲမှုသည် SiGe BiCMOS အစီအစဉ်ထက်ယေဘူယျအားဖြင့်ပိုကြီးသည်။ ဖြစ်စဉ်နည်းပညာများတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ CMOS အဆင့်သတ်မှတ်ချက်သည်အဆင့်နိမ့်လာသည်နှင့်အမျှ analog ဒီဇိုင်းကိုပိုခက်ခဲစေသည်။ ဖြစ်စဉ်အသစ်များဖွံ့ဖြိုးဆဲအစောပိုင်းအဆင့်တွင်ကိရိယာပုံစံငယ်နှင့်လုပ်ငန်းစဉ်ရင့်ကျက်မှုသည်ယေဘုယျအားဖြင့် analog module ဒီဇိုင်းအတွက်လိုအပ်သောတိကျသောပါရာမီတာပုံစံငယ်၏လိုအပ်ချက်များကိုမဖြည့်ဆည်းနိုင်ပါ။ သို့သော်မကြာသေးမီကတီထွင်ခဲ့သောဒစ်ဂျစ်တယ် CMOS RF ဗိသုကာသည် monolithic CMOS ပေါင်းစည်းမှုကိုပိုမိုဆွဲဆောင်မှုဖြစ်စေသည်။

ထုတ်လုပ်သူများသည်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော RF စနစ်အဆင့်ချစ်ပ်ဖြေရှင်းချက်များကိုရှာဖွေသောကြောင့်ဤအဖြေများသည် semiconductor လုပ်ငန်းကိုမောင်းနှင်သည်။ ပေါင်းစည်းမှုအစီအစဉ်တစ်ခုစီတွင်အခက်အခဲများရှိသော်လည်း RF အစိတ်အပိုင်းပေါင်းစည်းမှုသည်ဤမျှအဆင့်သို့ရောက်ရှိနိုင်သည်မှာအံ့သြစရာကောင်းလှသည်။ ဤအခက်အခဲများကိုကျော်လွှားခြင်းသည်ကြိုးမဲ့မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းဒီဇိုင်းအတွက်ကြီးမားသောခြေလှမ်းတစ်လှမ်းဖြစ်ပြီးမကြာမီကာလအတွင်းပိုမိုကောင်းမွန်သောပေါင်းစည်းမှုအတွက်လမ်းကြောင်းကိုသတ်မှတ်လိမ့်မည်။

ဤစာတမ်းနိဂုံးချုပ်သည်

RF ပေါင်းစည်းမှုတွင်အခက်အခဲများစွာရှိနေပါသေးသည်။ ခေတ်သစ်မိုဘိုင်းလ်ဖုန်း၏ RF ကိရိယာတိုင်းသည်တင်းကျပ်သောစွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့်ရင်ဆိုင်နေရသည်။ အာရုံခံနိုင်စွမ်းလိုအပ်ချက်မှာ ၁၀၆dbm (၁ မဂ္ဂါဝပ်အောက် ၁၀၆db ခန့်) နှင့်အထက်ဖြစ်ပြီးသက်ဆိုင်ရာအဆင့်သည်အနည်းငယ် microvolts သာရှိသည်။ ထို့အပြင်ရွေးချယ်ရေး၊ ဆိုလိုသည်မှာအသုံးများသောချန်နယ်မှကပ်လျက်ကြိမ်နှုန်းလှိုင်း (အများအားဖြင့်ပိတ်ဆို့ခြင်းဟုခေါ်)) သည် 106dB အစဉ်အတိုင်းဖြစ်သင့်သည်။ ထို့အပြင် system oscillator သည်လက်ခံနိုင်သောတီးဝိုင်းထဲသို့ခေါက်ခြင်းမှစွမ်းအင်ကိုခေါက်ရန်အလွန်နိမ့်သောအဆင့်ဆူညံသံအောက်တွင်လည်ပတ်ရန်လိုအပ်သည်။ အလွန်မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့်အလွန်အမင်းလိုအပ်နေသောစွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များကြောင့် RF ပေါင်းစည်းမှုသည်အလွန်ခက်ခဲသည်။

ကြိမ်နှုန်းပေါင်းများစွာစံသတ်မှတ်ခြင်းကိုလုပ်ဆောင်ခြင်းသည် SOC ကြိမ်နှုန်းတစ်ခုလုံးအတွက်တကယ့်စိန်ခေါ်မှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ ၎င်းသည် band signal transmission မှထုတ်ပေးသောစိတ်လှုပ်ရှားမှုကိုလျှော့ချရန်မျှော်လင့်သည်။ ဒစ်ဂျစ်တယ် RF ပေါင်းစည်းမှု၏အကြောင်းအရာသည် chip များစွာတွင် RF အစိတ်အပိုင်းများစွာထည့်ခြင်းထက်များစွာပိုသည်။ ဟာ့ဒ်ဝဲခွဲဝေမှု၏ဗိသုကာသစ်တစ်ခုလိုအပ်သည်။

စနစ်ဒီဇိုင်းပညာရှင်များအတွက်လက်ရှိရိုးရှင်း၊ အဆင့်မြင့်ပေါင်းစပ်ထားသော၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော semiconductor စက်များသည်ဒီဇိုင်းရှုပ်ထွေးမှုကိုများစွာလျှော့ချနိုင်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၎င်းတို့သည်ကြိုးမဲ့ကိရိယာများ၏ဝိသေသလက္ခဏာများကိုကြွယ်ဝစေပြီးစနစ်အရွယ်အစား၊ ဘက်ထရီသက်တမ်းနှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုမပြောင်းလဲစေနိုင်ပါ။ အဆင့်မြင့်ပေါင်းစပ်ထားသော RF ကိရိယာအသစ်များသည်ကြိုးမဲ့ဒီဇိုင်းတွင်အငြင်းပွားမှုများကိုဖယ်ရှားနိုင်ပြီးအင်ဂျင်နီယာများ၏အဖိုးတန်အချိန်ကိုကယ်တင်နိုင်သည်။