1. Additive လုပ်ငန်းစဉ်အပြင်
၎င်းသည်အပိုဆောင်းခုခံအေးဂျင့်၏အကူအညီမပါဘဲစပယ်ယာအလွှာ၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ဓာတုကြေးနီအလွှာပါ ၀ င်သောတိုက်ရိုက်စထရိလုပ်ငန်းစဉ်ကိုရည်ညွှန်းသည်။ ဆားကစ်ဘုတ်များတွင်သုံးသောထပ်ဆောင်းနည်းလမ်းများကိုအပြည့်ထည့်ခြင်း၊ တစ်ပိုင်းထပ်ခြင်းနှင့်တစ်ပိုင်းထပ်တိုးခြင်း ဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။
2. ကျောထောက်နောက်ခံပြားများ
၎င်းသည်အထူ (၀.၀၉၃”၊ ၀.၁၂၅” ကဲ့သို့) အထူရှိသောဆားကစ်ဘုတ်အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ နည်းလမ်းသည်ပထမဆုံးဂဟေတံမပါဘဲအပေါက်မှတဆင့်နှိပ်နယ်ခြင်းထဲသို့ multi pin connector ကိုထည့်သွင်းပါ၊ ထို့နောက် board မှတဆင့် connector ၏လမ်းညွှန် pin တစ်ခုစီကိုအကွေ့အကောက်များသောအားဖြင့်ဝါယာကြိုးတစ်ခုစီထည့်ပါ။ ယေဘူယျ circuit circuit board ကို connector ထဲသို့ထည့်နိုင်သည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော်ဤအထူးဘုတ်အဖွဲ့၏အပေါက်သည်ဂဟေဆော်ရန်မဖြစ်နိုင်သော်လည်း၊ အပေါက်နံရံနှင့်လမ်းညွှန် pin တို့သည်သုံးရန်တိုက်ရိုက်ညှပ်ထားသောကြောင့်၎င်း၏အရည်အသွေးနှင့်အလင်းဝင်ပေါက်လိုအပ်ချက်များသည်အထူးတင်းကျပ်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်ဆားကစ်ဘုတ်ပြားထုတ်လုပ်သူများသည်ဤအမိန့်ကိုလက်ခံရန်မလိုလားခြင်းနှင့်ခက်ခဲသည်။ ၎င်းသည်အမေရိကန်တွင်အဆင့်မြင့်အထူးစက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။
၃။ လုပ်ငန်းစဉ်တည်ဆောက်ပါ
၎င်းသည်နယ်ပယ်အသစ်တွင်ပါးလွှာသောအလွှာပေါင်းစုံပြားပြားနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ အစောဆုံးဉာဏ်အလင်းရောင်သည် IBM ၏ SLC လုပ်ငန်းစဉ်မှဆင်းလာပြီး ၁၉၈၉ ခုနှစ်တွင်ဂျပန်ရှိ Yasu စက်ရုံတွင်စတင်စမ်းသပ်ထုတ်လုပ်ခဲ့ပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည်ရိုးရာနှစ်ထပ်ပြားပြားပေါ်တွင်အခြေခံသည်။ အပြင်ဘက်ပန်းကန်ပြားနှစ်ခုကို probmer 1989 ကဲ့သို့အရည်ဓာတ်စုပ်ယူနိုင်သောရှေ့ပြေးအရည်များဖြင့်အပြည့်ဖုံးထားသည်။ တစ်ပိုင်းမာကျောပြီး photosensitive ပုံရိပ်ကြည်လင်ပြတ်သားမှုအပြီးတွင်နောက်အောက်ဆုံးအလွှာနှင့်ဆက်သွယ်ထားသောတိမ်ပုံ“ ဓာတ်ပုံ” ကိုဖန်ဆင်းသည်၊ ဓာတုကြေးနီနှင့် electroplated ကြေးနီကိုအလုံးစုံတိုးစေရန်သုံးသည်။ စပယ်ယာအလွှာ၊ လိုင်းပုံရိပ်ဖော်ခြင်းနှင့်ပုံဖော်ပြီးနောက်ဝါယာအသစ်များနှင့်အောက်ဆုံးအလွှာနှင့်ဆက်သွယ်ထားသောအပေါက်များ ဤနည်းအားဖြင့်အလွှာပေါင်းစုံအလွှာများထပ်တလဲလဲထည့်ခြင်းဖြင့်လိုအပ်သောအလွှာအရေအတွက်ကိုရနိုင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည်စျေးကြီးသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာတူးဖော်မှုကုန်ကျစရိတ်ကိုရှောင်ရှားနိုင်ရုံသာမကတွင်းအချင်းကို ၁၀ မီလီမီတာသို့လျှော့ချပေးနိုင်သည်။ လွန်ခဲ့သောငါးနှစ်မှခြောက်နှစ်အတွင်းအစဉ်အလာကိုချိုးဖျက်သောအလွှာလိုက်အလွှာလိုက်အလွှာလိုက်အလွှာပေါင်းများစွာကိုအမေရိကန်၊ ဂျပန်နှင့်ဥရောပတို့တွင်ထုတ်လုပ်သူများကစဉ်ဆက်မပြတ်မြှင့်တင်ခဲ့သည်။ စျေးကွက်တွင်ထုတ်ကုန်ဆယ်မျိုး အထက်ပါ“ ဓာတ်ပြုလွယ်သောချွေးပေါက်များဖွဲ့စည်းခြင်း” အပြင်၊ အပေါက်၌ကြေးနီအရေပြားကိုဖယ်ရှားပြီးနောက်အော်ဂဲနစ်ပြားများအတွက် alkaline ဓာတုကိုက်ခြင်း၊ လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့်ပလာစမာပုံသွင်းခြင်းကဲ့သို့ကွဲပြားခြားနားသော“ ချွေးပေါက်ဖွဲ့စည်းခြင်း” နည်းလမ်းများလည်းရှိသည်။ ၎င်းအပြင်၊ တစ်ပိုင်းကိုခိုင်မာစေသောအစေးဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသော“ သစ်စေးဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောကြေးနီသတ္တုပြား” ကိုအမျိုးအစားသစ်ကိုအထပ်ဆင့်ပျဉ်ပြားများဖြင့်ပိုမိုပါးလွှာ၊ ပိုထူ၊ ပိုသေး၊ ပိုပါးစေသည်။ အနာဂတ်တွင်ကွဲပြားသောကိုယ်ပိုင်အီလက်ထရောနစ်ထုတ်ကုန်များသည်ဤအလွန်ပါးလွှာသော၊ အတိုနှင့်အလွှာပေါင်းစုံပါ ၀ င်သောကမ္ဘာကြီးဖြစ်လာလိမ့်မည်။
4. Cermet Taojin
ကြွေအမှုန့်ကိုသတ္တုမှုန့်နှင့်ရောစပ်ပြီးကော်ကိုအပေါ်ယံအဖြစ်ထည့်သည်။ ၎င်းကိုတပ်ဆင်နေစဉ်ပြင်ပ resistor ကိုအစားထိုးရန်အထူฟิล์ม (သို့) ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ပုံနှိပ်ခြင်းအတွက် circuit resistor မျက်နှာပြင် (သို့မဟုတ်အတွင်းအလွှာ) ပေါ်တွင်“ resistor” ၏အထည်နေရာ၌သုံးနိုင်သည်။
၅။ ပူးတွဲပစ်ခတ်ခြင်း
၎င်းသည်ကြွေစပ်စပ်ဆားကစ်ပြားထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သေးငယ်သောဘုတ်ပြားပေါ်တွင်အဖိုးတန်သတ္ထုအထူပြားပြားအမျိုးမျိုးဖြင့်ရိုက်နှိပ်ထားသောဆားကစ်များသည်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပစ်ခတ်သည်။ ထူထူဖလင်ပြား၌ပါ ၀ င်သောအော်ဂဲနစ်သယ်ဆောင်သူအမျိုးမျိုးသည်မီးရှို့ခံရပြီးအဖိုးတန်သတ္တု conductors လိုင်းများသည်အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်ထားသောဝါယာများအဖြစ်ကျန်ရစ်သည်။
6. Crossover ဖြတ်ကူးသည်
ဘုတ်အဖွဲ့မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ဒေါင်လိုက်နှင့်အလျားလိုက် conductors နှစ်ခု၏ဒေါင်လိုက်ဆုံမှတ်နှင့်ဆုံဖြတ်မှုသည် insulating medium နှင့်ပြည့်နေသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်ကာဗွန်ဖလင်ဆွယ်တာကို panel တစ်ခုတည်း၏အစိမ်းရောင်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ထည့်သည်၊ သို့မဟုတ်ထပ်ဖြည့်သည့်နည်းလမ်းသည်အပေါ်နှင့်အောက်ကိုဝါယာကြိုးများဖြတ်တောက်ခြင်းဖြစ်သည်။
၇။ ဝိုင်ယာဘုတ်ပြုလုပ်ပါ
ဆိုလိုသည်မှာ multi wiring board ၏နောက်ထပ်အသုံးအနှုန်းသည် board မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ပတ်ပတ်လည်ကြွေဝါယာကြိုးများတပ်ဆင်ခြင်းနှင့်အပေါက်များမှတဆင့်ပေါင်းခြင်းတို့ဖြင့်ဖွဲ့စည်းသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်ထုတ်လွှင့်လိုင်းတွင်ပေါင်းစပ်ထားသောဘုတ်အဖွဲ့၏ဤလုပ်ဆောင်ချက်သည်ယေဘူယျအားဖြင့် PCB ရေးခြစ်ခြင်းဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော flat square circuit ထက်ပိုကောင်းသည်။
၈။ Dycosttrate plasma etching အပေါက်ကိုမြှင့်တင်ခြင်းနည်းလမ်း
၎င်းသည်ဆွစ်ဇာလန်နိုင်ငံ၊ Zurich တွင်ရှိသော dyconex ကုမ္ပဏီမှတီထွင်သောတည်ဆောက်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်ပန်းကန်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိအပေါက်တစ်ခုစီတွင်ကြေးနီသတ္တုပြားကိုအမှတ်အသားပြုလုပ်ရန်နည်းလမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်၊ ထို့နောက်၎င်းကိုပိတ်ထားသောလေဟာနယ်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထား၍ CF4, N2 နှင့် O2 ကိုမြင့်မားသောဗို့အားအောက်တွင် ionize စေရန်လုပ်ဆောင်ချက်အဖြစ်ပလာစမာကိုဖန်တီးရန်၊ အပေါက်အနေအထားတွင်အလွှာကိုရေးခြစ်ပြီး (၁၀ မီလီမီတာအောက်) သေးငယ်သောရှေ့ပြေးအပေါက်များကိုထုတ်လုပ်ပါ။ ၎င်း၏စီးပွားဖြစ်လုပ်ငန်းစဉ်ကို dycostrate ဟုခေါ်သည်။
၉။ Electro deposit photoresist
၎င်းသည်“ photoresist” ၏ဆောက်လုပ်ရေးနည်းလမ်းသစ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကိုမူလကရှုပ်ထွေးသောပုံသဏ္န်ရှိသောသတ္တုအရာများအား“ လျှပ်စစ်ပန်းချီ” အတွက်သုံးခဲ့သည်။ ၎င်းကို“ photoresist” ၏အသုံးချမှုသို့မကြာသေးမီကမိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ system သည် electroplating method ကို သုံး၍ circuit board ၏ကြေးနီမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် optically sensitive charging သွင်းထားသောအစေးများကိုအညီအမျှဖုံးအုပ်ရန် anti etching inhibitor အဖြစ်သုံးသည်။ လက်ရှိတွင်၎င်းကိုအတွင်းပန်းကန်ပြား၏တိုက်ရိုက်ကြေးခွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အမြောက်အများထုတ်လုပ်ရာတွင်အသုံးပြုခဲ့သည်။ ED photoresist အမျိုးအစားကို anode သို့မဟုတ် cathode တွင်ကွဲပြားသောလည်ပတ်မှုနည်းလမ်းများအရ“ anode type electric photoresist” နှင့်“ cathode type electric photoresist” ဟုခေါ်သည်။ ကွဲပြားသော photosensitive အခြေခံမူများအရအနုတ်လက္ခဏာအလုပ်လုပ်ခြင်းနှင့်အပြုသဘောလုပ်ဆောင်ခြင်းနှစ်မျိုးရှိသည်။ လက်ရှိတွင်အနုတ်လက္ခဏာပြုပြင်ထားသော photoresist ကိုစီးပွားဖြစ်ရောင်းချပြီးဖြစ်သော်လည်း၎င်းကို planar photoresist အဖြစ်သာသုံးနိုင်သည်။ ၎င်းသည်အပေါက်မှတဆင့် photosensitize ပြုလုပ်ရန်ခက်ခဲသောကြောင့်၎င်းကိုအပြင်ပန်းကန်၏ပုံကူးပြောင်းရန် သုံး၍ မရပါ။ အပြင်ဘက်ပန်းကန်အတွက် photoresist အဖြစ်သုံးနိုင်သော“ positive ed” နှင့် ပတ်သက်၍ (၎င်းသည်အလင်းဓာတ်ပြိုကွဲသောဖလင်ဖြစ်သောကြောင့်အပေါက်နံရံပေါ်ရှိအလင်းဓာတ်မလုံလောက်သော်လည်းအကျိုးသက်ရောက်မှုမရှိပါ) လက်ရှိတွင်ဂျပန်စက်မှုလုပ်ငန်းများသည်ပါးလွှာသောလိုင်းများထုတ်လုပ်မှုကိုပိုမိုလွယ်ကူစေရန်စီးပွားဖြစ်အမြောက်အများထုတ်လုပ်မှုကိုအကောင်အထည်ဖော်ရန်မျှော်လင့်လျက်ရှိနေသည်။ ဤဝေါဟာရကို“ electrophoretic photoresist” ဟုလည်းခေါ်သည်။
10. Flush conductor embedded circuit, flat conductor ကိုသုံးပါ
၎င်းသည်မျက်နှာပြင်သည်လုံး ၀ ပြားနေပြီးအထူးပြုလုပ်ထားသောလျှပ်ကူးပစ္စည်းအားလုံးသည်ပန်းကန်ထဲသို့ဖိထားသည်။ တစ်ခုတည်း panel နည်းလမ်းသည် circuit ကိုရရှိရန်ပုံရိပ်လွှဲပြောင်းခြင်းနည်းလမ်းဖြင့်တစ်ခြမ်းစီထားသောအလွှာပြားပေါ်တွင်ကြေးနီသတ္တုပြား၏တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကိုခြစ်ရန်ဖြစ်သည်။ ထို့နောက်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်ဖိအားမြင့်ခြင်းတို့၌တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းခိုင်မာသောပန်းကန်ထဲသို့ဘုတ်ပြားမျက်နှာပြင်ပြားကိုနှိပ်ပါ၊ တစ်ချိန်တည်းတွင်ပြားသောအစေး၏မာကျောသောလည်ပတ်မှုကိုပြီးမြောက်စေပြီးပြားချပ်ပြားများအားလုံးသို့ပြန်ဆုတ်ထားသော circuit board တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် မျက်နှာပြင်။ အများအားဖြင့်ပါးလွှာသောကြေးနီအလွှာကိုဘုတ်အဖွဲ့မှပြန်ထုတ်ထားသောဆားကွေးမျက်နှာပြင်မှအနည်းငယ်ခွာရန်လိုအပ်ပြီးအခြား ၀.၃ မီလီမီတာနီကယ်အလွှာ၊ ၂၀ မိုက်ခရိုလက်မလက်မရိုဒီးယမ်အလွှာ (သို့) ၁၀ မိုက်ခရိုရွှေအထူ ၁၀ စင်တီမီတာတို့နှင့်ဆက်သွယ်နိုင်သည်။ ခုခံအားသည်နိမ့်ကျနိုင်ပြီးအဆက်အသွယ်ပြုလုပ်ရာတွင်လျှောရန်လွယ်ကူသည်။ သို့သော် PTH အားနှိပ်နေစဉ်အတောအတွင်းအပေါက်ဖောက်ခံရခြင်းမှကာကွယ်ရန်ဤနည်းလမ်းကိုအသုံးမပြုသင့်ပါ၊ ၎င်းဘုတ်အဖွဲ့သည်လုံး ၀ ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်ကိုရရှိရန်မလွယ်ကူပါ၊ ၎င်းကိုလိုင်းမှကာကွယ်ရန်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် သုံး၍ မရပါ။ အစေးချဲ့ပြီးနောက်မျက်နှာပြင်မှတွန်းထုတ်ခံရသည်။ ဤနည်းပညာကို etch and push method ဟုလည်းခေါ်ပြီးအချောဘုတ်ကို rotary switch နှင့် wiring contacts ကဲ့သို့အထူးရည်ရွယ်ချက်များအတွက်သုံးနိုင်သော flush bonded board ဟုခေါ်သည်။
၁၁။ Frit glass frit
အဖိုးတန်သတ္တုဓာတုပစ္စည်းများအပြင်ဖန်အမှုန့်ကိုကြွေလွှာအလွှာပေါ်တွင်ပုံနှိပ်ထားသောငါးပိကဲ့သို့အထူฟิล์ม (PTF) ပုံနှိပ်ငါးပိထဲသို့ထည့်ရန်လိုသည်။ ခိုင်မာသောအဖိုးတန်သတ္တုပတ်လမ်းစနစ်တစ်ခုကိုတည်ဆောက်နိုင်သည်။
12. အပြည့်အဝထည့်သွင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်
၎င်းသည် electrodeposition metal method (အများစုမှာဓာတုကြေးနီများ) ဖြင့်လျှပ်ကာပြားပြားမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်ရွေးချယ်ထားသောဆားကစ်များကိုကြီးထွားစေသောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ နောက်ထပ်မှားယွင်းသောဖော်ပြချက်မှာ“ လျှပ်စစ်ဓာတ်မပြည့်” နည်းလမ်းဖြစ်သည်။
13. Hybrid ပေါင်းစပ်ဆားကစ်
အသုံးဝင်သောပုံစံသည်ပုံနှိပ်ခြင်းဖြင့်ကြွေလွှာလွှာပန်းကန်ပြားသေးသေးလေးပေါ်တွင်အဖိုးတန်သတ္ထုမှင်ကိုသုံးခြင်းအတွက်ဆားကစ်တစ်ခုနှင့်ဆက်စပ်သည်၊ ၎င်းကိုအပူချိန်မြင့်တွင်မင်၌အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းကိုမီးရှို့ပြီး၊ ပြားမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင်စပယ်ယာပတ်လမ်းတစ်ခုချန်ထားပြီးမျက်နှာပြင်ကိုဂဟေဆက်သည်။ အစိတ်အပိုင်းများကိုဆောင်ရွက်နိုင်သည်။ utility model သည်ပုံနှိပ်ဆားကစ်ပြားနှင့် semiconductor ပေါင်းစည်းထားသော circuit device တစ်ခုအကြားဆားကစ်သယ်ဆောင်မှုနှင့်သက်ဆိုင်သည်။ အစောပိုင်းကာလများတွင်၎င်းကိုစစ်တပ်သို့မဟုတ်ကြိမ်နှုန်းမြင့်အသုံးချမှုများအတွက်အသုံးပြုခဲ့သည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်းစျေးနှုန်းမြင့်မားခြင်း၊ စစ်တပ်ကျဆင်းခြင်းနှင့်အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်မှုခက်ခဲခြင်းတို့နှင့်အတူဆားကစ်ဘုတ်ပြားများသေးငယ်လာခြင်းနှင့်တိကျမှုတို့ကြောင့်ဒီစပ်မျိုး၏ကြီးထွားမှုသည်အစောပိုင်းနှစ်များထက်များစွာနိမ့်သည်။
14. Interposer interconnect conductor ဖြစ်သည်
Interposer ဆိုသည်မှာ insulating object တစ်ခုမှသယ်ဆောင်ထားသော conductors နှစ်ခုကိုဆက်သွယ်ထားသောနေရာတွင် conductive fillers များထည့်ခြင်းဖြင့်ဆက်သွယ်နိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အလွှာစုံအလွှာပြားများ၏အပေါက်များသည်ငွေရောင်ကြေးနီနံရံနှင့်အစားထိုးထားသောဒေါင်လိုက်ကြေးနီနံရံနှင့်အစားထိုးထားသောအရာများသို့မဟုတ်ဒေါင်လိုက် ဦး တည်ရာမဲ့လျှပ်ကူးကော်အလွှာများကဲ့သို့ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။