လေဆာပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာကိုအသုံးချခြင်း ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်

မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆပြောင်းလွယ်သောဆားကစ်ဘုတ်သည်လုံး ၀ ပျော့ပျောင်းသောဆားကစ်ဘုတ်တစ်ခုလုံး၏အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပြီးယေဘူယျအားဖြင့်မျဉ်းကြောင်းအကွာအဝေးကို ၂၀၀ less M ထက်နည်းသောသို့မဟုတ် ၂၅၀ μ M ထက်မပိုသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဘုတ်မှတဆင့် micro ဟုခေါ်သည်။ သိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်တွင်ဆက်သွယ်ရေး၊ ကွန်ပျူတာများ၊ ပေါင်းစည်းဆားကစ်များနှင့်ဆေးဘက်ဆိုင်ရာအသုံးအဆောင်များကဲ့သို့ကျယ်ပြန့်သော applications များရှိသည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ပစ္စည်းများ၏အထူးဂုဏ်သတ္တိများကို ရည်ရွယ်၍ ဤစက္ကူသည်တူးဖော်ခြင်းမှတဆင့်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်နှင့်မိုက်ခရို ၀ င်များကိုလေဆာပြုပြင်ရာတွင်ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့်အဓိကပြသနာအချို့ကိုမိတ်ဆက်သည်။

ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်၏ထူးခြားသောဝိသေသလက္ခဏာများသည်၎င်းကိုအခါများစွာ၌တောင့်တင်းသောဆားကစ်ဘုတ်နှင့်ရိုးရာဝါယာကြိုးစနစ်တို့အတွက်ရွေးချယ်စရာတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၎င်းသည်နယ်ပယ်သစ်များစွာ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုလည်းအားပေးသည်။ FPC ၏အလျင်မြန်ဆုံးတိုးတက်လာသောအစိတ်အပိုင်းမှာကွန်ပျူတာ hard disk drive (HDD) ၏အတွင်းပိုင်းဆက်သွယ်မှုလိုင်းဖြစ်သည်။ hard disk ၏သံလိုက်ခေါင်းသည်စကင်ဖတ်ရန်အလှည့် disk ပေါ်တွင်အပြန်ပြန်အလှန်လှန်ရွေ့လျားနိုင်သောဆားကစ်ကိုမိုဘိုင်းသံလိုက်ခေါင်းနှင့်ထိန်းချုပ်ဆားကစ်ဘုတ်အကြားဆက်သွယ်မှုကိုသိရှိနားလည်ရန်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် circuit ကိုသုံးနိုင်သည်။ Hard disk ထုတ်လုပ်သူများသည်ထုတ်လုပ်မှုကိုတိုးစေပြီး“ ဆိုင်းငံ့နိုင်သောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ပြား” (FOS) ဟုခေါ်သောနည်းပညာမှတဆင့်တပ်ဆင်စရိတ်ကိုလျှော့ချပေးသည်။ ထို့အပြင်ကြိုးမဲ့ဆိုင်းထိန်းနည်းပညာသည်ငလျင်ဒဏ်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီးထုတ်ကုန်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။ hard disk တွင်သုံးသောအခြားသိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် circuit board သည် interposer flex ကို suspension နှင့် controller ကြားတွင်သုံးသော interposer flex ဖြစ်သည်။

FPC ၏ဒုတိယတိုးတက်နေသောနယ်ပယ်သည်ပေါင်းစည်း circuit circuit ထုပ်ပိုးမှုအသစ်ဖြစ်သည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်များကို chip level packaging (CSP), multi chip module (MCM) နှင့် flexible circuit board (COF) တို့တွင် chip ကိုသုံးသည်။ ၎င်းတို့အနက် CSP ပြည်တွင်းပတ် ၀ န်းကျင်သည်ကြီးမားသောစျေးကွက်ရှိသည်၊ ၎င်းကို semiconductor ကိရိယာများနှင့် flash memory တွင်သုံးနိုင်ပြီး PCMCIA ကတ်များ၊ disk drive များ၊ ကိုယ်ပိုင်ဒစ်ဂျစ်တယ်လက်ထောက်များ (PDAs)၊ မိုဘိုင်းဖုန်းများ၊ pager ဒစ်ဂျစ်တယ်ကင်မရာနှင့်ဒစ်ဂျစ်တယ်ကင်မရာများတွင်တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။ မရ။ ထို့အပြင်အရည်ကြည်ပြသခြင်း (LCD)၊ polyester film switch နှင့် ink-jet printer cartridge တို့သည်သိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် circuit circuit board ၏အခြားတိုးတက်မှုသုံးလွှာဖြစ်သည်။

ခရီးဆောင်ကိရိယာများ (မိုဘိုင်းလ်ဖုန်းများကဲ့သို့) ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်လိုင်းနည်းပညာ၏စျေးကွက်အလားအလာသည်အလွန်ကြီးမားသည်။ ၎င်းကိရိယာများသည်စားသုံးသူများ၏လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်သေးငယ်သည့်အသံနှင့်အလေးချိန်လိုအပ်သည်။ ထို့အပြင်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နည်းပညာ၏နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာများတွင်အကြားအာရုံအထောက်အကူပြုပစ္စည်းများနှင့်လူသားအစားထိုးပစ္စည်းများကဲ့သို့ထုတ်ကုန်များ၏အသံအတိုးအကျယ်နှင့်အလေးချိန်ကိုလျှော့ချရန်ဒီဇိုင်းထုတ်သူများသုံးနိုင်သည်။

အထက်ပါနယ်ပယ်များတွင်ကြီးမားသောတိုးတက်မှုသည်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်များကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာထုတ်လုပ်မှုကိုမြင့်တက်စေခဲ့သည်။ ဥပမာအားဖြင့် Hard Disk ၏နှစ်စဉ်ရောင်းအားသည် ၂၀၀၄ ခုနှစ်တွင် ၃၄၅ သန်းအထိရောက်ရှိရန်မျှော်မှန်းထားပြီး ၁၉၉၉ ထက်နှစ်ဆခန့်ပိုများလာသည်။ ဤတိုးနှုန်းများသည် ၂၀၀၂ ခုနှစ်မတိုင်မီ ၃.၅ သန်းစတုရန်းမီတာသို့ရောက်ရှိပြီးသိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်များ၏နှစ်စဉ် ၃၅ ရာခိုင်နှုန်းတိုးလာစေသည်။ ထိုသို့မြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်သည်အကျိုးရှိပြီးကုန်ကျစရိတ်နည်းသောနည်းပညာလိုအပ်သည်။ မရ။

လေဆာသည်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်သုံးချက်ရှိသည်။ ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ဖြတ်ခြင်း၊ ဖြတ်ခြင်း အဆက်အသွယ်မရှိသောစက်တစ်ခုအနေနှင့်လေဆာကိုအလွန်သေးငယ်သောအာရုံ (၁၀၀ ~ ၅၀၀) μမီတာတွင်မြင့်မားသောပြင်းထန်သောအလင်းစွမ်းအင် (၆၅၀ မီဂါဝပ် / မီလီမီတာ ၂) တွင်သုံးသည်။ ဤကဲ့သို့မြင့်မားသောစွမ်းအင်ကိုဖြတ်တောက်ခြင်း၊ တူးဖော်ခြင်း၊ အမှတ်အသားပြုခြင်း၊ ဂဟေဆော်ခြင်း၊ အမှတ်အသားနှင့်အခြားလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက်သုံးနိုင်သည်။ လုပ်ဆောင်မှုမြန်နှုန်းနှင့်အရည်အသွေးတို့သည်လှိုင်းအလျား၊ စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆ၊ အထွတ်အထိပ်ပါဝါ၊ သွေးခုန်နှုန်းအကျယ်နှင့်ကြိမ်နှုန်းကဲ့သို့သောသုံးပြီးသားလေဆာဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်ဆက်စပ်သည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ပြားကိုပြုပြင်ရာတွင်ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (UV) နှင့်အနီအောက်ရောင်ခြည် (FIR) လေဆာတို့ကိုသုံးသည်။ ယခင်သူသည်များသောအားဖြင့် excimer သို့မဟုတ် UV diode pumped solid-state (uv-dpss) lasers ကိုသုံးပြီးနောက်ဆုံးတွင်အများအားဖြင့်တံဆိပ်ခတ်ထားသော CO100 lasers div ကိုသုံးသည်။

Vector scanning နည်းပညာသည် flow meter နှင့် CAD / CAM software များတပ်ဆင်ထားသောမှန်ကိုထိန်းချုပ်ရန်ကွန်ပျူတာကို သုံး၍ လေဆာရောင်ခြည်သည် workpiece မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ဒေါင်လိုက်တောက်ပကြောင်းသေချာစေရန် telecentric lens system ကိုအသုံးပြုသည်။

လေဆာတူးဖော်ခြင်း processing တွင်မြင့်မားသောတိကျမှုနှင့်ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုရှိသည်။ ၎င်းသည်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ဖွဲ့စည်းရန်စံပြကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ CO2 လေဆာ (သို့) DPSS လေဆာဖြစ်စေ၊ ပစ္စည်းကိုအာရုံစိုက်ပြီးနောက်မည်သည့်ပုံသဏ္ာန်သို့မဆိုပြုပြင်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် galvanometer ပေါ်တွင်ကြေးမုံတပ်ဆင်ခြင်းဖြင့် workpiece မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိဘယ်နေရာကိုမဆိုစူးစိုက်သောလေဆာရောင်ခြည်ကိုပစ်သည်၊ vector scanning နည်းပညာ သုံး၍ galvanometer တွင်ကွန်ပျူတာဂဏန်းထိန်း (CNC) ကိုထုတ် လုပ်၍ CAD / CAM software ၏အကူအညီဖြင့်ဂရပ်ဖစ်ဖြတ်တောက်ခြင်းကိုပြုလုပ်သည်။ ဤ“ soft tool” သည်ဒီဇိုင်းပြောင်းသွားသောအခါလေဆာရောင်ခြည်ကိုအချိန်နှင့်တပြေးညီလွယ်ကူစွာထိန်းချုပ်နိုင်သည်။ အလင်းကျုံ့ခြင်းနှင့်ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာအမျိုးမျိုးကိုချိန်ညှိခြင်းဖြင့်လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည်အခြားသိသာထင်ရှားသောအားသာချက်ဖြစ်သည့်ဒီဇိုင်းဂရပ်ဖစ်များကိုတိကျစွာမျိုးပွားနိုင်သည်။

Vector scanning သည် polyimide film ကဲ့သို့ substrates များကိုဖြတ်တောက်နိုင်သလို circuit တစ်ခုလုံးကိုဖြတ်တောက်နိုင်သလို slot (သို့) block ကဲ့သို့ circuit circuit ပေါ်ရှိဧရိယာတစ်ခုကိုဖယ်ရှားနိုင်သည်။ ပြုပြင်ခြင်းနှင့်ဖွဲ့စည်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်မှန်သည်စကေးအားတူးဖော်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သောမှန်ကိုအမြဲဖွင့်ထားသည်။ တူးဖော်နေစဉ်အတွင်းမှန်> နေရာတစ်ခုစီ၌မှန်ကိုပြင်ဆင်ပြီးမှသာလေဆာကိုဖွင့်သည်

အပိုင်း

ဗန်းစကားများတွင်“ ဖြတ်ခြင်း” သည်ပစ္စည်းတစ်လွှာကိုလေဆာဖြင့်ဖယ်ရှားသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည်လေဆာရောင်ခြည်အတွက်ပိုမိုသင့်တော်သည်။ တူညီသော vector scanning နည်းပညာသည် dielectric ကိုဖယ်ရှားရန်နှင့်အောက်ရှိ conductive pad ကိုဖော်ထုတ်နိုင်သည်။ ယခုအချိန်တွင်လေဆာပြုပြင်ခြင်း၏တိကျမှုမြင့်မားမှုသည်တစ်ဖန်အကျိုးကျေးဇူးများကိုထင်ဟပ်စေသည်။ FIR လေဆာရောင်ခြည်ကိုကြေးနီသတ္တုပြားဖြင့်ရောင်ပြန်ဟပ်မည်ဖြစ်သောကြောင့် CO2 လေဆာကိုအများအားဖြင့်ဤနေရာတွင်သုံးသည်။

တူးတွင်း

အချို့သောနေရာများသည်သေးငယ်သောအပေါက်များဖောက်ရန်စက်ဖြင့်တူးဖော်ခြင်း၊ တံဆိပ်ခတ်ခြင်း (သို့) ပလာစမာပုံသွင်းခြင်းကိုသုံးနေဆဲဖြစ်သော်လည်းလေဆာတူးဖော်ခြင်းသည်အဓိကအားဖြင့်၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုမြင့်မားမှု၊ အားပျော့ပြောင်းလွယ်မှုနှင့်ရှည်လျားသောပုံမှန်လည်ပတ်မှုအချိန်တို့ကြောင့်ဖြစ်သည်။ မရ။

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတူးဖော်ခြင်းနှင့်တံဆိပ်ခတ်ခြင်းတို့၌အမြင့် ၂၅၀ μ M နီးပါးရှိသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်တွင်ပြုလုပ်နိုင်သောတိကျသောတူးစက်များနှင့်သေဆုံးခြင်းများကိုချမှတ်သည်။ သိပ်သည်းဆမြင့်မားသောပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ကြောင့်လိုအပ်သောအလင်းဝင်ပေါက်အချိုးသည် ၂၅၀ μ M သည်သေးငယ်သဖြင့်စက်တူးဖော်ခြင်းကိုနှစ်သက်ခြင်းမရှိပေ။

Plasma etching ကို 50 μ M ထက်နည်းသောအရွယ်အစားနှင့် 100 μ M အထူ polyimide film substrate တွင်သုံးနိုင်သည်၊ သို့သော်ကိရိယာများရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုနှင့်လုပ်ငန်းစဉ်ကုန်ကျစရိတ်မှာအတော်လေးမြင့်သည်။ ဓာတုစွန့်ပစ်ပစ္စည်းအချို့နှင့်လူသုံးကုန်ပစ္စည်းများအတွက် ထို့အပြင်လုပ်ငန်းစဉ်အသစ်တစ်ခုကိုတည်ဆောက်ရာတွင်ပလာစမာပုံသွင်းခြင်းအတွက်အချိန်ကြာမြင့်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်၏အားသာချက်မှာယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားခြင်းဖြစ်သည်။ အရည်အချင်းအားဖြင့် micro မှတဆင့်နှုန်းသည် ၉၈%ရှိသည်ဟုအစီရင်ခံသည်။ ထို့ကြောင့်ပလာစမာပုံသွင်းဆေးနှင့်ဆေးပစ္စည်းများအတွက်ဈေးကွက်အချို့ရှိနေသေးသည်

ဆန့်ကျင်ဘက်အနေနှင့်အသေးစားဖန်များကိုလေဆာဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းသည်ရိုးရှင်း။ ကုန်ကျစရိတ်နည်းသည်။ လေဆာပစ္စည်းကိရိယာများ၏ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုသည်အလွန်နည်းပြီးလေဆာသည်အဆက်အသွယ်မရှိသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ စက်တူးခြင်းနှင့်မတူဘဲစျေးကြီးသောကိရိယာအစားထိုးကုန်ကျစရိတ်ရှိလိမ့်မည်။ ထို့ပြင်ခေတ်မီတံဆိပ်ခတ်ထားသော CO2 နှင့် uv-dpss လေဆာများသည်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကိုအခမဲ့ပြုလုပ်နိုင်သည်၊ စက်ရပ်ခြင်းကိုလျော့နည်းစေပြီးကုန်ထုတ်လုပ်မှုကိုများစွာတိုးတက်စေနိုင်သည်။

ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်တွင် micro vias များထုတ်လုပ်ပုံနည်းလမ်းသည်တောင့်တင်းသော pcb တွင်ကဲ့သို့တူညီသော်လည်းလေဆာ၏အရေးကြီးသောသတ်မှတ်ချက်များသည်အလွှာနှင့်အထူခြားနားမှုကြောင့်ပြောင်းလဲရန်လိုအပ်သည်။ တံဆိပ်ခတ်ထားသော CO2 နှင့် uv-dpss လေဆာများသည်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ပေါ်တွင်တိုက်ရိုက်ပုံသွင်းရန်ပုံတူကဲ့သို့ vector scanning နည်းပညာကိုသုံးနိုင်သည်။ တစ်ခုတည်းသောခြားနားချက်မှာတူးဖော်ခြင်းအပလီကေးရှင်းဆော့ဝဲသည်မှန်တစ်ခုမှတစ်ခုသို့ micro မှတဆင့်စကင်ဖတ်စစ်ဆေးစဉ်လေဆာကိုပိတ်လိုက်သည်။ လေဆာရောင်ခြည်တန်းသည်အခြားတွင်းတူးသည့်နေရာသို့မရောက်မချင်းဖွင့်ထားမည်မဟုတ်ပါ။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်အလွှာ၏မျက်နှာပြင်ကိုအပေါက်တစ်ပေါက်ဖြစ်စေရန်လေဆာရောင်ခြည်သည်စကင်ဖတ်မှန်နှင့်အောက်ခံအကြား telecentric မှန်ဘီလူးစနစ်ကို သုံး၍ အောင်မြင်နိုင်သည့်ဆားကစ်ဘုတ်အလွှာပေါ်တွင်ဒေါင်လိုက်တောက်ပနေစေရမည်။ ) div>

ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သုံးပြီး Kapton တွင်အပေါက်များတူးသည်

CO2 လေဆာသည် micro vias များကိုတူးရန် conformal mask နည်းပညာကိုသုံးနိုင်သည်။ ဤနည်းပညာကိုသုံးသောအခါကြေးနီမျက်နှာပြင်ကိုမျက်နှာဖုံးအဖြစ်သုံးသည်၊ ၎င်းကိုအပေါက်များအားသာမန်ပုံသွင်းခြင်းနည်းလမ်းဖြင့်ပြုလုပ်သည်၊ ထို့နောက် CO2 လေဆာရောင်ခြည်တန်းသည်ကြေးနီသတ္တုပြား၏အပေါက်များပေါ်တွင်ဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာထွက်သည်။

projection mask ၏နည်းလမ်းအားဖြင့် excimer laser ကို သုံး၍ micro vias ကိုပြုလုပ်နိုင်သည်။ ဤနည်းပညာသည် micro မှတဆင့်ပုံသဏ္ဌာန် (သို့) micro တစ်ခုလုံးကိုမြေလွှာကိုခင်းရန်လိုအပ်သည်၊ ထို့နောက် excimer လေဆာရောင်ခြည်သည်မျက်နှာဖုံးကိုဓာတ်ရောင်ခြည်ဖြာပေးသည်။ excimer လေဆာတူးဖော်မှု၏အရည်အသွေးသည်အလွန်ကောင်းမွန်သည်။ ၎င်း၏အားနည်းချက်များမှာမြန်နှုန်းနိမ့်နှင့်ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားသည်။

ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ဆားကစ်ဘုတ်ကိုပြုပြင်ရန်လေဆာအမျိုးအစားသည်တောင့်တင်းသော pcb ကိုလုပ်ဆောင်ရာတွင်အတူတူပင်ဖြစ်သော်လည်းလေဆာရွေးချယ်ခြင်းသည်ပစ္စည်းနှင့်အထူကွာခြားချက်သည်လုပ်ဆောင်ချက်ဘောင်များနှင့်အမြန်နှုန်းကိုများစွာအကျိုးသက်ရောက်လိမ့်မည်။ တစ်ခါတစ်ရံ excimer လေဆာနှင့်ပြောင်းပြန်စိတ်လှုပ်ရှားဓာတ်ငွေ့ (လက်ဖက်ရည်) CO2 လေဆာကိုသုံးနိုင်သည်၊ သို့သော်ဤနည်းလမ်းနှစ်ခုသည်နှေးကွေးသောအမြန်နှုန်းနှင့်မြင့်မားသောပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုကုန်ကျစရိတ်ရှိသည်၊ ၎င်းအားကုန်ထုတ်စွမ်းအားတိုးတက်မှုကိုကန့်သတ်ထားသည်။ နှိုင်းယှဉ်လျှင် CO2 နှင့် uv-dpss lasers များကိုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်သုံးသည်၊ မြန်ဆန်ပြီးကုန်ကျစရိတ်နည်းသည်၊ ထို့ကြောင့်၎င်းတို့ကိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် circuit circuit များ၏ micro vias များထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့်လုပ်ဆောင်ခြင်းတို့တွင်အဓိကအသုံးပြုကြသည်။

ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းသော CO2 လေဆာ၊ အလုံပိတ် CO2 လေဆာ Different http://www.auto-alt.cn Different Block release technology သည်လေဆာဓာတ်ငွေ့အရောအနှောကိုစတုဂံပုံစံ electrode ပြားနှစ်ခုမှကန့်သတ်ရန်လေဆာဓာတ်ငွေ့ကိုကန့်သတ်ရန်မွေးစားထားသည်။ လေဆာခေါင်းကို ၀ န်ဆောင်မှုသက်တမ်းတစ်ခုလုံး (အများအားဖြင့် ၂ နှစ်မှ ၃ နှစ်ခန့်) အလုံပိတ်လေဆာခေါင်းသည်ကျစ်လစ်သောဖွဲ့စည်းပုံရှိပြီးလေလဲလှယ်ရန်မလိုအပ်ပါ။ လေဆာခေါင်းသည်ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုမရှိဘဲနာရီပေါင်း ၂၅၀၀၀ ကျော်အဆက်မပြတ်အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ တံဆိပ်ခတ်ခြင်းဒီဇိုင်း၏အကြီးမားဆုံးအားသာချက်သည်မြန်ဆန်သောပဲမျိုးစုံကိုထုတ်လုပ်ပေးနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့် block release laser သည် 2KW ပါဝါအမြင့်ဆုံးရှိသောကြိမ်နှုန်းမြင့် (3kHz) ပဲမျိုးစုံကိုထုတ်လွှတ်နိုင်သည်။ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့်အမြင့်ဆုံးအထွတ်အထိပ်စွမ်းအားဖြင့်လျင်မြန်သောအပူပေးစက်သည်မည်သည့်အပူဓာတ်ကိုမျှပျက်စီးစေခြင်းမရှိဘဲဆောင်ရွက်နိုင်သည်

Uv-dpss laser သည် laser diode array ဖြင့် neodymium vanadate (Nd: YVO4) crystal rod ကိုအဆက်မပြတ်စုပ်ယူနိုင်သော solid-state device တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် acousto-optic Q-switch မှ pulse output ကိုထုတ်ပေးပြီး Nd: YVO4 laser ကို 1064nm မှ 355nm & nbsp; IR အခြေခံလှိုင်းအလျားကို 355 nm UV လှိုင်းအလျားသို့လျှော့ချသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် XNUMXnm </div>

20kHz nominal pulse repetition နှုန်းတွင် uv-dpss laser ၏ပျမ်းမျှ output power သည် 3W div ထက်ပိုသည်။

UV-dpss လေဆာ

dielectric နှင့် copper နှစ်ခုလုံးသည် 355nm ရှိသောလှိုင်းအလျားနှင့် uv-dpss လေဆာကိုအလွယ်တကူစုပ်ယူနိုင်သည်။ Uv-dpss လေဆာတွင်အလင်းရောင်နည်းသောနေရာနှင့် CO2 လေဆာထက်ပိုနိမ့်သည်။ dielectric processing ၏ဖြစ်စဉ်တွင် uv-dpss laser ကိုများသောအားဖြင့်သေးငယ်သောအရွယ်အစား (၅၀%အောက်) μ m) ထို့ကြောင့်အချင်း ၅၀ ထက်နည်းသော high-သိပ်သည်းဆပြောင်းလွယ်သောပြောင်းလွယ်သော circuit board μ M micro မှတဆင့်အလွှာတွင်လုပ်ဆောင်သင့်သည်။ ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သုံးခြင်းသည်အလွန်စံပြဖြစ်သည်။ ယခု uv-dpss laser div ၏လုပ်ဆောင်မှုနှင့်တူးဖော်မှုအရှိန်ကိုမြှင့်တင်နိုင်သောစွမ်းအားမြင့် uv-dpss laser တစ်ခုရှိပါသည်။

uv-dpss လေဆာ၏အားသာချက်မှာ၎င်း၏စွမ်းအင်မြင့် UV ဖိုတွန်များသည်သတ္ထုမဟုတ်သောမျက်နှာပြင်လွှာများပေါ်တွင်တောက်ပသောအခါ၎င်းတို့သည်မော်လီကျူးများ၏ link ကိုတိုက်ရိုက်ဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ဖြတ်တောက်ခြင်းကို“ အအေး” lithography လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့်ချောမွေ့စေပြီးအတိုင်းအတာကိုအနည်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ အပူဒဏ်နှင့်လောင်မြိုက်ခြင်း။ ထို့ကြောင့် UV micro ဖြတ်တောက်ခြင်းသည်ကုသမှုလွန်ရန်မဖြစ်နိုင်ပါသို့မဟုတ်မလိုအပ်သော div> လိုအပ်ချက်မြင့်မားသောအခါများအတွက်သင့်တော်သည်

CO2 လေဆာ (အလိုအလျောက်အစားထိုးနည်းများ)

တံဆိပ်ခတ်ထားသော CO2 လေဆာသည် polyimide film substrate ကဲ့သို့ dielectrics များဖြင့်စုပ်ယူရန်လွယ်ကူသော်လည်းလှိုင်းအလျား ၁၀.၆ μ M သို့မဟုတ် ၉.၄ μ M FIR လေဆာကိုထုတ်လွှတ်နိုင်သည်။ အများကြီးပိုကောင်းတယ်။ Dielectric 10.6 M M လှိုင်းအလျား၏စုပ်ယူနိုင်သော coefficient သည်ပိုမိုမြင့်မားသည်။ တူးဖော်ခြင်း (သို့) ဖြတ်တောက်ခြင်းပစ္စည်းများအတွက် M သည်လှိုင်းအလျား ၁၀.၆ ထက်ပိုကောင်းသည်။ ကိုးမှတ်လေးμ M လေဆာသည်တူးဖော်ခြင်းနှင့်ဖြတ်တောက်ခြင်းတွင်သိသာထင်ရှားသည့်အားသာချက်များသာမကထူးခြားသောဖြတ်တောက်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ထို့ကြောင့်လှိုင်းအလျားတိုသောလေဆာကိုသုံးခြင်းသည်ကုန်ထုတ်စွမ်းအားနှင့်အရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။

ယေဘူယျအားဖြင့် fir လှိုင်းအလျားကို dielectrics ဖြင့်အလွယ်တကူစုပ်ယူနိုင်သော်လည်းကြေးနီဖြင့်ပြန်လည်ထင်ဟပ်လိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့် CO2 လေဆာအများစုကို dielectric processing, molding, slicing and delamination of dielectric substrate and laminate ။ CO2 laser ၏ output power သည် DPSS laser ထက်ပိုမြင့်သောကြောင့် CO2 laser သည်ကိစ္စအများစုတွင် dielectric ကိုစီမံရန်သုံးသည်။ CO2 လေဆာနှင့် uv-dpss လေဆာတို့ကိုမကြာခဏသုံးသည်။ ဥပမာအားဖြင့် micro vias များကိုတူးသောအခါပထမကြေးနီအလွှာကို DPSS လေဆာဖြင့်အရင်ဖယ်ရှားပါ၊ ထို့နောက်နောက်ထပ်ကြေးနီအဖုံးလွှာပေါ်လာသည်အထိ dielectric အလွှာရှိ dielectric အလွှာများကိုအလျင်အမြန်တူးပါ။

UV laser ၏လှိုင်းအလျားသည်အလွန်တိုသောကြောင့် UV လေဆာဖြင့်ထုတ်လွှတ်သောအလင်းသည် CO2 လေဆာထက်ပိုသာသည်၊ သို့သော်အချို့သောအသုံးချမှုများတွင် CO2 လေဆာဖြင့်ထုတ်လုပ်သောကြီးမားသောအချင်းအလင်းပြောက်သည် uv-dpss laser ထက်ပိုအသုံးဝင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့် groove များနှင့်လုပ်ကွက်များကဲ့သို့ကြီးမားသောဧရိယာများကိုဖြတ်ပါသို့မဟုတ်အချင်း ၅၀ (diameter မီတာထက်ကြီးသောအပေါက်ကြီးများ) ကိုတူးပါ။ CO50 လေဆာဖြင့်လုပ်ဆောင်ရန်အချိန်နည်းသည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရမည်ဆိုလျှင်အလင်းဝင်ပေါက်အချိုးသည် ၅၀ μမီတာပိုကြီးလာသောအခါ CO2 လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည်ပိုမိုသင့်တော်လာပြီးအလင်းဝင်ပေါက်သည် ၅၀ μ M ထက်နည်းပါက uv-dpss laser ၏အကျိုးသက်ရောက်မှုသည်ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။